[發明專利]全局電功率倍增

在審

• 申請號: 201680065477.5
• 申請日: 2016-08-16
• 公開（公告）號: CN108352729A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: J.F.科勒姆;K.L.科勒姆
• 申請（專利權）人: CPG技術有限責任公司
• 主分類號: H02J50/40
• 分類號: H02J50/40;H02J50/20;H02J50/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張曉明

1.一種全局功率倍增器，包括：

第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭，其被配置為以限定頻率沿著有損傳導介質的表面發射同步引導表面波，所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭以等于所述限定頻率的四分之一波長的距離分離；以及

至少一個激勵源，其被配置為以所述限定頻率激勵所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭，其中在所述限定頻率處所述第二引導表面波導探頭的激勵相對于在所述限定頻率處所述第一引導表面波導探頭的激勵為90度異相。

2.根據權利要求1所述的全局能量倍增器，其中，所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭包括在所述有損傳導介質上升高的電荷端子，所述電荷端子被配置為產生至少一個合成場，所述合成場合成以所述有損傳導介質的復布魯斯特入射角(θ_i,B)入射的波前。

3.根據權利要求2所述的全局功率倍增器，其中，所述電荷端子是多個電荷端子中的一個。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的全局功率倍增器，其中，所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭包括電耦合到電荷端子的饋送網絡，所述饋送網絡提供與波傾斜角(Ψ)相匹配的相位延遲(Φ)，所述波傾斜角(Ψ)與復布魯斯特入射角(θ_i,B)相關聯，所述復布魯斯特入射角(θ_i,B)與在引導表面波導探頭附近的所述有損傳導介質相關聯。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的全局功率倍增器，包括耦合控制系統，其被配置為協調所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭的操作以發射所述同步引導表面波。

6.根據權利要求5所述的全局功率倍增器，其中，所述耦合控制系統被配置為協調提供給所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭的激勵，以在所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭的激勵之間產生所述90度異相。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的全局功率倍增器，其中，通過分離的激勵源將激勵提供給所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的全局功率倍增器，包括與所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭對準的接收電路，所述接收電路被配置為從由所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭發射的所述同步引導表面波中提取至少一部分電能。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的全局功率倍增器，包括與所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭對準的第三引導表面波導探頭和第四引導表面波導探頭，所述第三引導表面波導探頭和第四波導探頭被配置為以所述限定頻率沿著所述有損傳導介質的表面發射同步引導表面波，所述第三引導表面波導探頭和第四引導表面波導探頭以等于所述限定頻率的四分之一波長的距離分離，并且所述第一引導表面波導探頭和第三引導表面波導探頭以等于所述限定頻率的整數倍波長的距離分離。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的全局功率倍增器，其中所述有損傳導介質是陸地介質。

11.一種用于全局功率倍增的方法，包括：

通過以限定頻率激勵第一引導表面波導探頭，沿著有損傳導介質的表面發射引導表面波；以及

通過激勵與所述第一引導表面波導探頭以等于限定頻率的四分之一波長的距離分離的第二引導表面波導探頭，沿著所述有損傳導介質的表面發射同步引導表面波，所述第二引導表面波導探頭在相對于所述第一引導表面波導探頭的激勵為90度異相的限定頻率處被激勵，所述同步引導表面波產生在由所述第一引導表面波導探頭和第二引導表面波導探頭的對準限定的方向上沿著所述有損傳導介質的表面傳播的行波。