[發(fā)明專利]固態(tài)成像器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680065440.2 | 申請日: | 2016-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN108352390B | 公開(公告)日: | 2023-01-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 熊井晃一;五來亮平 | 申請(專利權)人: | 凸版印刷株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;G02B3/00 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人: | 常海濤;孫微 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態(tài) 成像 器件 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種可以較低成本地形成固態(tài)成像器件的固態(tài)成像器件及固態(tài)成像器件的制造方法。本實施方式的固態(tài)成像器件(1a)具備:基板(2);多個微透鏡(6),其形成于基板(2)的一個面上;凹透鏡(7),其形成于多個微透鏡(6)中相鄰的微透鏡(6)彼此的邊界部、并且向基板(2)的一個面凹陷,該固態(tài)成像器件(1a)的制造方法具備透鏡形成步驟,其中,通過使用灰調掩模(50)的光刻法一并形成微透鏡(6)及凹透鏡(7)。
技術領域
本發(fā)明涉及固態(tài)成像器件及其制造方法。
背景技術
作為關于固態(tài)成像器件及其制造方法的現(xiàn)有技術,例如,有專利文獻1~3所記載的技術。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2000-260969號公報
專利文獻2:日本特開2000-260970號公報
專利文獻3:日本特開2006-165162號公報
發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題
在現(xiàn)有技術的固態(tài)成像器件的制造方法中,在形成固態(tài)成像器件所具備的多個微透鏡時,需要對構成微透鏡的材料經(jīng)多次進行圖案成形。因此,需要準備多個圖案形成用掩模等加工夾具,有制造成本變高的問題。
因此,本發(fā)明是鑒于這種情況而完成的,其目的在于提供一種可更低成本地形成固態(tài)成像器件的固態(tài)成像器件及其制造方法。
用于解決問題的方法
為了解決上述問題,本發(fā)明的一個實施方式提供了一種固態(tài)成像器件,其特征在于,具備:基板;形成于所述基板的一個面上的多個微透鏡;以及凹透鏡,該凹透鏡形成于所述多個微透鏡中相鄰的微透鏡彼此的邊界部并且向所述基板的一個面凹陷。
另外,本發(fā)明的一個實施方式提供了一種固態(tài)成像器件的制造方法,所述固態(tài)成像器件具備:基板;形成于所述基板的一個面上的多個微透鏡;以及凹透鏡,所述凹透鏡形成于所述多個微透鏡中相鄰的微透鏡彼此的邊界部并且向所述基板的一個面凹陷,所述制造方法的特征在于,具備透鏡形成步驟,在該步驟中,通過使用灰調掩模的光刻法一并形成所述微透鏡及所述凹透鏡。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式,可較低成本地形成固態(tài)成像器件。
附圖簡要說明
[圖1]是表示本發(fā)明第一實施方式的固態(tài)成像器件的結構例的剖視圖。
[圖2]是表示本發(fā)明實施例1-1的固態(tài)成像器件的制造方法的說明圖。
[圖3]是表示本發(fā)明實施例1-1的固態(tài)成像器件的制造方法的說明圖。
[圖4]是表示本發(fā)明實施例1-1的微透鏡在X方向截面及XY方向對角截面的AFM輪廓的圖。
[圖5]是表示本發(fā)明實施例1-2的固態(tài)成像器件的制造方法的說明圖。
[圖6]是表示本發(fā)明實施例2-1的固態(tài)成像器件的制造方法的說明圖。
[圖7]是表示本發(fā)明第二實施方式的固態(tài)成像器件的結構例的剖視圖。
[圖8]是表示本發(fā)明第二實施方式的固態(tài)成像器件中的彩色濾光片及光電轉換元件的配置的俯視圖。
[圖9]是表示本發(fā)明第二實施方式的固態(tài)成像器件的結構例的剖視圖。
[圖10]是圖9的局部放大剖視圖。
[圖11]是表示在溝谷間的曲率半徑大的情況下的微透鏡間的入射光的光路的說明圖。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





