[發明專利]用于制造隔膜組件的方法

有效

• 申請號: 201680064056.0
• 申請日: 2016-10-25
• 公開（公告）號: CN108292102B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: S·奧斯特霍夫;保羅·詹森;B·L·M-J·K·韋伯羅根
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/62;G21K1/06;B82Y40/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種用于制造用于EUV光刻的隔膜組件的方法，所述方法包括：

提供疊層，所述疊層包括介于支撐襯底與附接襯底之間的隔膜層，其中所述支撐襯底包括內部區和第一邊界區；

加工所述疊層，包括選擇性地移除所述支撐襯底的所述內部區，以形成隔膜組件，所述隔膜組件包括：

隔膜，所述隔膜由至少所述隔膜層形成；和

支撐件，所述支撐件保持所述隔膜，所述支撐件至少部分地由所述支撐襯底的所述第一邊界區形成；

其中，所述支撐襯底還包括所述第一邊界區周圍的第一邊緣區；和加工所述疊層包括在選擇性地移除所述支撐襯底的所述內部區之前將所述第一邊緣區和形成于所述第一邊緣區上的層與所述隔膜組件分離開。

2.根據權利要求1所述的方法，包括：

直接或間接地將所述附接襯底結合至所述隔膜層，以便提供包括介于所述支撐襯底與所述附接襯底之間的所述隔膜層的所述疊層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，經由晶片結合技術完成所述附接襯底至所述隔膜層的所述結合。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，

所述附接襯底包括覆蓋區和第二邊界區；且

加工所述疊層包括移除至少所述附接襯底的所述覆蓋區。

5.根據權利要求4所述的方法，其中同時執行所述支撐襯底的所述內部區的所述選擇性移除和至少所述附接襯底的所述覆蓋區的所述移除。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，

使用蝕刻劑來執行所述支撐襯底的所述內部區的所述選擇性移除；且

使用所述蝕刻劑來執行至少所述附接襯底的所述覆蓋區的所述移除。

7.根據權利要求4所述的方法，其中選擇性地移除所述附接襯底的所述覆蓋區，使得所述隔膜組件的所述支撐件部分地由所述附接襯底的所述第二邊界區形成。

8.根據權利要求4所述的方法，其中，所述附接襯底的所述第二邊界區連同所述覆蓋區一起被移除。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述支撐襯底具有一化學組成，且所述附接襯底具有所述化學組成。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述附接襯底的平均厚度在所述支撐襯底的平均厚度的20％以內。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述附接襯底直接地附接到至少部分地形成所述隔膜組件的所述隔膜的疊層的層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述附接襯底直接地附接至所述隔膜層。

13.根據權利要求1或2所述的方法，其中，

所述疊層包括介于所述隔膜層與所述附接襯底之間的粘結層；且

所述附接襯底附接至所述粘結層。

14.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述支撐襯底的平均厚度與所述附接襯底的平均厚度的總和是至少700微米。

15.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述附接襯底的平均厚度是至多500微米。

16.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述支撐襯底的平均厚度是至多500微米。

17.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述支撐襯底的平均厚度是至少700微米。

18.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述支撐襯底和所述附接襯底中的至少一個包括面向所述疊層中的所述隔膜層的氧化層。