[發明專利]晶體硅系太陽能電池的制造方法和晶體硅系太陽能電池模塊的制造方法

有效

• 申請號: 201680064015.1
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN108352417B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 足立大輔;寺下徹;宇都俊彥
• 申請（專利權）人: 株式會社鐘化
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L21/288;H01L31/0747
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李書慧;金世煜

1.一種晶體硅系太陽能電池的制造方法，所述晶體硅系太陽能電池具備：具有第一主面和第二主面的n型晶體硅基板，依次形成于所述n型晶體硅基板的第一主面上的第一本征硅系薄膜、p型硅系薄膜、第一透明電極層和圖案集電極，依次形成于所述n型晶體硅基板的第二主面上的第二本征硅系薄膜、n型硅系薄膜、第二透明電極層和鍍覆金屬電極；在所述n型晶體硅基板的第一主面的周緣上具有除去了第一透明電極層與第二透明電極層的短路的絕緣區域，

所述晶體硅系太陽能電池的制造方法具有如下工序：

第一本征硅系薄膜形成工序，在所述n型晶體硅基板的第一主面上和側面上形成第一本征硅系薄膜，

p型硅系薄膜形成工序，在所述第一本征硅系薄膜上形成p型硅系薄膜，

第一透明電極層形成工序，在所述n型晶體硅基板的第一主面側的除周緣以外的整個區域上形成第一透明電極層，

第二本征硅系薄膜形成工序，在所述n型晶體硅基板的第二主面上和側面上形成第二本征硅系薄膜，

n型硅系薄膜形成工序，在所述第二本征硅系薄膜上形成n型硅系薄膜，

第二透明電極層形成工序，在所述n型晶體硅基板的第二主面側的整個面和側面形成第二透明電極層，

圖案集電極形成工序，在所述第一透明電極層上形成圖案集電極，以及

鍍覆金屬電極形成工序，以在所述n型晶體硅基板的第一主面的周緣上具有所述絕緣區域的狀態，通過電鍍法在所述第二透明電極層上形成鍍覆金屬電極；

在所述第一本征硅系薄膜形成工序之后，實施所述第二本征硅系薄膜形成工序，

所述圖案集電極的厚度d₁大于所述鍍覆金屬電極的膜厚d₂。

2.根據權利要求1所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，在所述p型硅系薄膜形成工序之后，實施所述n型硅系薄膜形成工序。

3.根據權利要求1或2所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，在所述第一透明電極層形成工序中，通過以在所述n型晶體硅基板的第一主面的周緣上配置有掩模的狀態進行成膜，從而在所述n型晶體硅基板的第一主面側的除周緣以外的整個區域形成所述第一透明電極層。

4.根據權利要求1或2所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，在所述第二透明電極層形成工序中，通過在不使用掩模的情況下進行成膜，從而在所述n型晶體硅基板的第二主面上的整個面和側面形成所述第二透明電極層。

5.根據權利要求1或2所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，在所述p型硅系薄膜形成工序中，通過在不使用掩模的情況下進行成膜，從而在所述n型晶體硅基板的第一主面上的整個面和側面形成所述p型硅系薄膜，

在所述n型硅系薄膜形成工序中，通過在不使用掩模的情況下進行成膜，從而在所述n型晶體硅基板的第二主面上的整個面和側面形成所述n型硅系薄膜。

6.根據權利要求1或2所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，在所述第二透明電極層形成工序之后且所述鍍覆金屬電極形成工序之前，進一步具有在所述第二透明電極層上形成鍍覆基底電極的鍍覆基底電極形成工序，

在所述鍍覆金屬電極形成工序中，在所述鍍覆基底電極上形成所述鍍覆金屬電極。

7.根據權利要求6所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，在所述鍍覆金屬電極形成工序中，通過對所述鍍覆基底電極供電而形成所述鍍覆金屬電極。

8.根據權利要求1或2所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，在所述圖案集電極形成工序中，通過電鍍形成圖案狀的鍍覆集電極。

9.根據權利要求8所述的晶體硅系太陽能電池的制造方法，其中，與所述鍍覆金屬電極形成工序同時實施所述圖案集電極形成工序。