[發明專利]用于制造半導體納米結構的平坦的自由接觸面的方法

有效

• 申請號: 201680063910.1
• 申請日: 2016-10-22
• 公開（公告）號: CN109075189B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: S.黑特;J.格哈茨;T.舍珀斯;D.格呂茨馬歇爾
• 申請（專利權）人: 于利奇研究中心有限公司
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/775;B82Y10/00;B82Y40/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 姬亞東;劉春元

1.一種用于制造具有嵌入的可接觸的納米結構的平坦的自由面的方法，

- 其中至少一個納米結構（2）布置在起始襯底（1）的表面上，

- 其中在所述起始襯底的（1）的相同表面上施加第一層（3），所述第一層將所述至少一個納米結構（2）嵌入，

- 并且其中將目標襯底（5）施加到所述第一層（3）上，

- 其中隨后，將所述起始襯底（1）與所述第一層（3）分離，使得至少一個嵌入其中的納米結構（2）具有平坦的自由表面，

其特征在于：

- 在將所述至少一個納米結構（2）施加到所述起始襯底（1）上之前將附加層（6）施加到所述起始襯底（1）的表面上，其中所述附加層（6）具有可溶解于溶劑中的材料，

- 并且借助溶劑將所述起始襯底（1）與所述第一層（3）無損分離。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中使用包括第四化學主族的元素半導體、第三和第五化學主族的化合物半導體或第二和第六化學主族的化合物半導體的納米結構（2）。

3.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述目標襯底（5）經由第二層（4）施加到所述第一層（3）上。

4.根據前述權利要求3所述的方法，

其中所述第二層（4）包含氫倍半硅氧烷（HSQ）。

5.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述附加層（6）包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸構成的共聚物（PMMA / MA）或光學光刻膠。

6.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述附加層（6）以多個步驟施加到起始襯底（1）的表面上。

7.根據權利要求1或2所述的方法，

其中在施加所述至少一個納米結構（2）之前，首先對所述附加層（6）進行溫度處理。

8.根據權利要求1或2所述的方法，

其中，將所述至少一個納米結構（2）嵌入的第一層（3）包括可旋涂的玻璃或可流動的氧化物。

9.根據前述權利要求8所述的方法，

其中所述可流動的氧化物是氫倍半硅氧烷（HSQ）。

10.根據權利要求1或2所述的方法，

其中，將所述納米結構（2）嵌入的第一層（3）首先借助光刻選擇性顯影和結構化，之后將目標襯底（5）施加到所述結構化的層上。

11.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述起始襯底（1）與第一層（3）的分離利用具有丙酮的溶劑或環戊酮或二甲基亞砜進行。

12.根據權利要求1或2所述的方法，

其中外延地產生所述納米結構。

13.根據權利要求1或2所述的方法，

其中所述納米結構在所述起始襯底上的布置借助于包括所述納米結構的分散體或通過微操縱器進行。

14.根據權利要求1或2所述的方法，

其中將納米線或由連接的納米線構成的網絡作為納米結構來布置。

15.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所得到的具有所述第一層（3）和所述至少一個嵌入其中的納米結構（2）的目標襯底（5）隨后在根據權利要求1所述的方法中作為目標襯底使用，使得能夠產生具有所嵌入的納米結構的多個相疊布置的層的系統，其中所述納米結構能夠通過垂直通孔接觸連接。