[發明專利]毫秒退火系統中的襯底支承件有效
| 申請號: | 201680063372.6 | 申請日: | 2016-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN108352343B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發明(設計)人: | 約瑟夫·西貝爾 | 申請(專利權)人: | 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京易光知識產權代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔曉光 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 毫秒 退火 系統 中的 襯底 支承 | ||
1.一種毫秒退火系統,包括:
處理室,所述處理室具有晶片支承板;
多個支承引腳,所述多個支承引腳從所述晶片支承板延伸且構造成對襯底進行支承;
其中,所述支承引腳中的至少一個支承引腳具有球形表面輪廓,以適應在與所述襯底相接觸的點處襯底的表面法線的變化角度,
其中,所述球形表面輪廓具有與最大角度的至少兩倍相關聯的跨距,所述最大角度為所述襯底的表面法線在與所述襯底相接觸的點處的最大角度,
其中,所述球形表面輪廓具有基于對所述球形表面輪廓進行支承的基部結構的橫截面寬度確定的曲率半徑。
2.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述最大角度在2℃至8℃的范圍內。
3.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述多個支承引腳包括位于相對于所述襯底的中心的第一徑向距離處的第一支承引腳和位于相對于所述襯底的中心的第二徑向距離處的第二支承引腳,所述第二徑向距離大于所述第一徑向距離。
4.根據權利要求3所述的毫秒退火系統,其中,所述第一支承引腳具有帶有第一跨距的球形表面輪廓,并且所述第二支承引腳具有帶有第二跨距的球形表面輪廓,所述第二跨距大于所述第一跨距。
5.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述球形表面輪廓是被拋光的。
6.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述支承引腳包括石英材料。
7.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述基部結構為豎向基部結構。
8.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述基部結構為帶角度的基部結構。
9.根據權利要求1所述的毫秒退火系統,其中,所述基部結構具有T形橫截面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





