[發明專利]用于從載件上拾取部件的方法和設備在審
| 申請號: | 201680063353.3 | 申請日: | 2016-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN108352342A | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | L.阿布貝特 | 申請(專利權)人: | 伊斯梅卡半導體控股公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張小文;鄧雪萌 |
| 地址: | 瑞士拉*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 載件 拾取頭 拾取 參考位置 拾取部件 測試 跳躍 方法和設備 部件處理 部件限定 上方移動 可操作 上支撐 移動 成功 | ||
根據本發明提供了處理載件上的部件的方法,該方法包括以下步驟:提供其上支撐有多個部件的載件;測試多個部件以識別良好部件和劣質部件,其中,良好部件是成功通過測試的那些部件并且劣質部件是未通過測試的那些部件;限定從載件待拾取的第一良好部件;將整數個部件限定為跳躍值;將可操作以從載件上拾取部件的拾取頭定位在載件上的第一參考位置上方;識別在從第一參考位置開始的跳躍值內的一個或多個良好部件;使拾取頭或載件移動以使拾取頭定中在一個或多個良好部件中的至少一個上方;使拾取頭或載件移動以使拾取頭從所述一個或多個良好部件中的至少一個上方移動至限定的待拾取的第一良好部件上方,而不拾取所述一個或多個良好部件中的至少一個;使拾取頭定中在待拾取的第一良好部件上方;拾取待拾取的第一良好部件。本發明進一步提供了對應的部件處理設備。
技術領域
本發明涉及一種用于從載件(諸如,晶圓)上拾取部件(諸如,晶片)的方法和設備,并且特別地涉及一種包含如下操作的方法和設備:使載件相對于拾取頭移動,或者使拾取頭相對于載件移動,以便使得拾取頭從開始位置移動至待拾取的部件,由此使拾取頭相對于沿著拾取頭開始位置與待拾取的部件之間的路徑定位的部件對準,以便使得在拾取頭定中在待拾取的部件上方之前,拾取頭相對于晶圓上的部件進行至少一次中間對準。
背景技術
晶圓上的元件由拾取頭拾取。通常帶有元件的晶圓被移動到定位有拾取頭的拾取站中。晶圓將具有參考基準點,并且在進入拾取站時使晶圓對準以便使得參考基準點定中在拾取頭下方。
在晶圓已經對準之后,使拾取頭從參考基準點上方開始移動以便使得拾取頭定中在待拾取的第一元件上方。
現有解決方案不能提供拾取頭在待拾取的預定的第一元件上方的可靠的定中;例如,這能夠是由于晶圓包括許多具有小尺寸的元件,從而使得難以將拾取頭準確地定位在待拾取的單個預定的第一元件上方;尤其是在拾取頭需要從其開始位置移動一大段距離至待拾取的預定的第一元件時,會出現拾取頭在待拾取的預定的第一元件上方的特別不可靠的定中。因此,現有解決方案不能提供從晶圓上可靠地拾取待拾取的預定的第一元件。同樣,作為在待拾取的預定的第一元件上方的不可靠定中的結果,現有解決方案也未能提供拾取頭在晶圓上的待拾取的隨后元件上方的可靠定中,因為拾取頭的移動通常將預定的第一元件的位置用作參考位置,從該參考位置確定晶圓上的待拾取的隨后元件的位置。
在一個現有解決方案中,拾取頭從參考基準點上方移動以便使得其定中在待拾取的第一元件上方是基于元件的已知尺寸和晶圓上的元件之間存在的間距而實現的;例如,假定晶圓的邊緣限定參考基準點,并且元件尺寸為2 mm且晶圓上的元件之間的間距為1mm,則如果待拾取的第一元件是從晶圓的最外邊緣開始的第三個元件,那么系統使拾取頭從晶圓的邊緣開始移動7 mm(即,在第一個元件上的2 mm + 在第一個間距上的1 mm + 在第二個元件上的2 mm + 在第二個間距上的1 mm + 在待拾取的元件的第一半部上移動的1mm,以便使得拾取頭相對于該元件定中),從而使得拾取頭定中在待拾取的第一元件上方。
然而,拾取頭從參考基準點上方移動以便使得其定中在待拾取的第一元件上方只有在位于沿著參考基準點與待拾取的第一元件之間的路徑的中間元件未發生位移的情況下才會成功;如果沿著該路徑的元件位移,則沿著該路徑(在位移的元件與待拾取的第一元件之間)的所有元件也將位移相等的量。而且,如果沿著該路徑的多于一個的中間元件位移,則將存在位移的累積,并且待拾取的第一元件的位移量將大體上等于沿著該路徑的每個元件的所有位移量的總和。
相應地,由于位于沿著參考基準點與待拾取的第一元件之間的路徑的中間元件的位移,所以拾取頭可能沒有準確地定中在待拾取的第一元件上方。
在已經拾取第一元件之后,拾取頭將移動以定中在待拾取的隨后元件下方;這時會出現類似的問題,因此,拾取頭將沒有準確地定中在待拾取的隨后元件上方。
本發明的一個目標是消除與拾取系統的現有拾取方法相關聯的一個或多個上述缺點。
發明內容
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





