[發明專利]濺射靶及濺射靶的制造方法

有效

• 申請號: 201680061310.1
• 申請日: 2016-10-24
• 公開（公告）號: CN108138311B
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發明（設計）人: 梅本啟太;張守斌;陸田雄也
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社;太陽能先鋒株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22C28/00
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 蘇萌;鐘守期

1.一種濺射靶，其特征在于，具有In的含量為45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的雜質構成的組成，

存在In單質相和Cu₁₁In₉化合物相，所述In單質相及所述Cu₁₁In₉化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu₁₁In₉)在0.01以上3以下的范圍內，

所述Cu₁₁In₉化合物相的平均粒徑為150μm以下，氧含量為500質量ppm以下，理論密度比為85％以上。

2.權利要求1中所述的濺射靶，其特征在于，所述In單質相的平均粒徑為1mm以下。

3.根據權利要求1或權利要求2中所述的濺射靶，其特征在于，其進一步含有作為Na化合物的NaF、NaCl、Na₂S、Na₂Se中的1種或2種以上，該Na化合物的平均粒徑為10μm以下。

4.根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，其進一步含有作為K化合物的KF、KCl、K₂S、K₂Se中的1種或2種，該K化合物的平均粒徑為10μm以下。

5.根據權利要求2所述的濺射靶，其特征在于，其進一步含有作為K化合物的KF、KCl、K₂S、K₂Se中的1種或2種，該K化合物的平均粒徑為10μm以下。

6.根據權利要求3所述的濺射靶，其特征在于，其進一步含有作為K化合物的KF、KCl、K₂S、K₂Se中的1種或2種，該K化合物的平均粒徑為10μm以下。

7.一種濺射靶的制造方法，其制造權利要求1至權利要求6中任一項所述的濺射靶，其特征在于，包括

In-Cu合金粉準備工序，即通過噴射溫度700℃以上900℃以下的氣體霧化，準備In-Cu合金粉，所述In-Cu合金粉具有In的含量為45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的雜質構成的組成，存在In單質相和Cu₁₁In₉化合物相，所述In單質相及所述Cu₁₁In₉化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu₁₁In₉)在0.01以上3以下的范圍內，氧濃度為500質量ppm以下，平均粒徑為125μm以下；和

燒結工序，即燒結包含所述In-Cu合金粉的原料粉末。

8.一種濺射靶的制造方法，其制造權利要求1至權利要求6中任一項所述的濺射靶，其特征在于，包括

原料調配工序，即稱量Cu原料和In原料，以成為In的含量為45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的雜質構成的組成；

熔融工序，即將所述Cu原料及In原料加熱至1100℃以上熔融而形成熔液；

鑄造工序，即將所述熔液注入鑄模，并以10℃/min以上的冷卻速度冷卻至50℃以下。