[發明專利]工程化襯底上的芯片級封裝固態器件的剝離工藝

有效

• 申請號: 201680061007.1
• 申請日: 2016-10-10
• 公開（公告）號: CN108475626B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 弗拉基米爾·奧德諾博柳多夫;杰姆·巴斯切里
• 申請（專利權）人: 克羅米斯有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/46;H01L21/461;H01L21/463;H01L21/465
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 景懷宇

1.一種處理工程化襯底結構的方法，所述方法包括：

提供工程化襯底結構，其包括：

多晶襯底，和

封裝所述多晶襯底的工程化層；

形成耦合到所述工程化層的犧牲層；

通過以下方式形成耦合到所述犧牲層的固態器件結構：

形成耦合到所述犧牲層的鍵合層；

形成耦合到所述鍵合層的單晶的硅層；

在所述單晶的硅層上外延生長氮化鎵（GaN）層；

通過外延生長形成耦合到所述氮化鎵（GaN）層的N-GaN層；

通過外延生長形成耦合到所述N-GaN層的氮化鎵（GaN）基有源層；和

通過外延生長形成耦合到所述氮化鎵（GaN）基有源層的P-GaN層；

在所述固態器件結構上形成模塑支撐件；

通過去除所述固態器件結構的一個或多個部分形成所述固態器件結構中的一個或多個溝道，以暴露所述犧牲層的一個或多個部分；

使蝕刻化學品流過所述一個或多個溝道到達所述犧牲層的所述一個或多個暴露部分；和

通過所述蝕刻化學品和所述犧牲層之間的相互作用使所述犧牲層溶解，從而將所述工程化襯底結構從所述固態器件結構分離。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述犧牲層包括鈦（Ti）、釩（V）、鉻（Cr）、鉭（Ta）、鎢（W）、錸（Re）、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種，或它們的組合。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻化學品包括氫氟酸（HF）或硫酸（H₂SO₄）。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述多晶襯底包括多晶氮化鋁鎵（AlGaN）、多晶氮化鎵（GaN）、多晶氮化鋁（AlN）、碳化硅（SiC）中的一種，或它們的組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述一個或多個溝道中的每一個穿過所述模塑支撐件、所述氮化鎵（GaN）層、所述單晶的硅層和所述鍵合層。

6.一種處理工程化襯底結構的方法，所述方法包括：

提供工程化襯底結構，其包括：

多晶襯底，和

封裝所述多晶襯底的工程化層；

形成耦合到所述工程化層的犧牲層，所述犧牲層具有暴露的周邊；

通過以下方式形成耦合到所述犧牲層的固態器件結構：

形成耦合到所述犧牲層的鍵合層；

形成耦合到所述鍵合層的單晶的硅層；

形成耦合到所述單晶的硅層的氮化鎵（GaN）層；和

形成耦合到所述氮化鎵（GaN）層的一個或多個氮化鎵（GaN）基器件；

在所述固態器件結構上形成模塑支撐件；

將蝕刻化學品涂覆到所述犧牲層的所述暴露的周邊； 和

通過所述蝕刻化學品和所述犧牲層之間的相互作用使所述犧牲層溶解，從而將所述工程化襯底結構從所述固態器件結構分離。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述犧牲層包括鈦（Ti）、釩（V）、鉻（Cr）、鉭（Ta）、鎢（W）、錸（Re）、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種，或它們的組合。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述蝕刻化學品包括氫氟酸（HF）或硫酸（H₂SO₄）。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述多晶襯底包括多晶氮化鋁鎵（AlGaN）、多晶氮化鎵（GaN）、多晶氮化鋁（AlN）、碳化硅（SiC）中的一種，或它們的組合。