[發明專利]太陽能電池的制造方法以及太陽能電池制造裝置

有效

• 申請號: 201680060879.6
• 申請日: 2016-09-20
• 公開（公告）號: CN108235787B
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 橫川政弘;川崎隆裕
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;C23C16/458;H01L21/205;H01L31/18
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 孫蕾

1.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，具備：

使第2導電類型的半導體層形成于具有第1導電類型的結晶系的半導體基板的工序；以及

使背面與設置于成膜室的載置臺抵接而載置所述半導體基板，通過排氣裝置對所述成膜室內進行真空排氣而減壓，將原料氣體供給到所述成膜室內，利用CVD法使防反射膜從所述半導體基板的受光面側成膜至所述半導體基板的側面的工序，

所述載置臺具有貫通孔，該貫通孔在與所述半導體基板的抵接面具有開口并貫通所述載置臺并且在另一端開口于所述成膜室內，

在所述成膜的工序中，通過所述排氣裝置，對所述成膜室內進行真空排氣且所述貫通孔內成為負壓，從而使所述半導體基板緊貼于所述抵接面并使防反射膜成膜于除了所述抵接面之外的所述半導體基板表面。

2.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，具備：

使第2導電類型的半導體層形成于具有第1導電類型的結晶系的半導體基板的工序；以及

與設置于成膜室的載置臺抵接而載置所述半導體基板，通過排氣裝置對所述成膜室內進行真空排氣而減壓，將原料氣體供給到所述成膜室內，利用CVD法使薄膜從所述半導體基板的受光面側成膜至所述半導體基板的側面的工序，

所述載置臺具有貫通孔，該貫通孔在與所述半導體基板的抵接面具有開口并貫通所述載置臺并且在另一端開口于所述成膜室內，

在所述成膜的工序中，通過所述排氣裝置，對所述成膜室內進行真空排氣且所述貫通孔內成為負壓，從而使所述半導體基板緊貼于所述抵接面并使薄膜成膜于除了所述抵接面之外的所述半導體基板表面。

3.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，具備：

使第2導電類型的半導體層形成于具有第1導電類型的結晶系的半導體基板的工序；以及

使背面與設置于成膜室的載置臺抵接而載置所述半導體基板，通過排氣裝置對所述成膜室內進行真空排氣而減壓，將原料氣體供給到所述成膜室內，利用CVD法使防反射膜從所述半導體基板的受光面側成膜至所述半導體基板的側面的工序，

所述載置臺具有從與所述半導體基板的抵接面經由所述半導體基板的邊緣部到達外部并且開口于所述成膜室內的槽，

在所述成膜的工序中，通過所述排氣裝置，對所述成膜室內進行真空排氣且所述槽內成為負壓，從而使所述半導體基板緊貼于所述抵接面，使防反射膜成膜于除了所述抵接面之外的所述半導體基板表面。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述成膜的工序是使用除了具有所述槽之外還具有在與所述半導體基板的抵接面具有開口并貫通所述載置臺的貫通孔的載置臺進行成膜的工序。

5.根據權利要求1至4中的任意一項所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

所述成膜的工序包括：

第1減壓工序，對所述成膜室進行真空排氣而減壓至第1壓力，使所述貫通孔內或者所述槽內相對于所述成膜室內的壓力成為負壓；

第2減壓工序，進一步減壓至第2壓力，使所述半導體基板緊貼于所述載置臺；以及

原料氣體供給工序，將原料氣體供給到所述成膜室內。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

在所述原料氣體供給工序中，將所述成膜室的壓力維持在所述第1壓力以下。

7.一種太陽能電池制造裝置，其特征在于，

所述太陽能電池制造裝置是CVD裝置，該CVD裝置具備：

成膜室；

第1電極，配備于所述成膜室內；

第2電極，與所述第1電極對置地設置，兼作載置半導體基板的基板載置臺；

氣體供給部，將原料氣體供給到所述成膜室內；以及

排氣部以及排氣裝置，對所述成膜室內進行真空排氣，使得成為負壓，

所述基板載置臺具有貫通孔，該貫通孔在與半導體基板的抵接面具有開口并貫通所述基板載置臺并且在另一端開口于所述成膜室內，

通過所述排氣裝置，對所述成膜室內進行真空排氣且所述貫通孔內成為負壓。