[發明專利]外延生長用基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201680060793.3
• 申請日: 2016-10-21
• 公開（公告）號: CN108138356B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 黑川哲平;橋本裕介;岡山浩直
• 申請（專利權）人: 東洋鋼鈑株式會社;住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/22
• 分類號: C30B29/22;B23K20/00;B21B1/22;B23K103/18;H01B13/00
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 蔡利芳;鄭霞

1.一種外延生長用基板的制造方法，包括：將金屬基材及具有fcc軋制織構的銅層通過表面活性化接合進行層疊的工序；對銅層實施機械研磨的工序；以及進行銅層的取向化熱處理的工序，其中，

將基于XRD測定的層疊前的銅層及層疊后的銅層的(200)面的比例分別設為I0_Cu、I0_CLAD，將層疊前的銅層及層疊后的銅層的(220)面的比例分別設為I2_Cu、I2_CLAD時，I0_Cu＜20％，I2_Cu＝70～90％，并且進行層疊以使I0_CLAD＜20％，I2_CLAD＝70～90％及I0_CLAD－I0_Cu＜13％。

2.根據權利要求1所述的外延生長用基板的制造方法，其中，

在進行取向化熱處理之后的銅層的表面，具有存在于距表面為3μm以內的(200)面以外的結晶方位的晶粒占據的面積低于1.5％。

3.根據權利要求1或2所述的外延生長用基板的制造方法，其中，

機械研磨的厚度方向的切削量為2μm～5μm。

4.根據權利要求1所述的外延生長用基板的制造方法，其中，

實施機械研磨的工序包括拋光研磨。

5.根據權利要求1所述的外延生長用基板的制造方法，其中，

通過表面活性化接合進行層疊的工序通過將金屬基材及銅層利用軋輥接合而進行，通過輥式拋光研磨向與軋制方向相同的方向實施研磨之后，利用鏡面輥實施壓下率0～1％的輕軋制，由此進行實施機械研磨的工序，在實施了機械研磨之后的銅層中，AFM測定的每單位長度60μm的沿著與軋制方向相同方向的表面粗糙度為Ra1＜10nm，沿著與軋制方向成直角的方向的表面粗糙度為Ra2＜30nm。