[發明專利]具有低氧氣傳輸速率的藥物和其他包裝在審
| 申請號: | 201680060686.0 | 申請日: | 2016-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN108138316A | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | M·威爾斯;A·塔哈;C·維卡特 | 申請(專利權)人: | SIO2醫藥產品公司 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/515;A61L31/08;A61J1/05 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 王海寧 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 施加 內腔中 阻隔涂層 銜接 等離子體增強化學氣相沉積處理 血液樣品收集 環境壓力 氣體滲透 速率常數 涂覆容器 氧氣傳輸 抽真空 暴露 制造 | ||
1.一種處理容器的方法,該方法包括:
a.提供包括基本上由限定內腔的熱塑性聚合物材料組成的壁的容器,該壁具有面向該內腔的內部表面和外部表面;
b.在該內腔中抽部分真空;
c.在保持該內腔中的該部分真空不被破壞的同時,通過銜接PECVD涂覆工藝施加SiOxCy的銜接涂層或層,該銜接PECVD涂覆工藝包括在進料包括線性硅氧烷前體、任選的氧氣和任選的惰性氣體稀釋劑的氣體的同時,施加足夠的功率以在該內腔內產生等離子體,從而在該內部表面上產生SiOxCy的銜接涂層或層,其中x為從約0.5至約2.4并且y為從約0.6至約3,各自如通過X射線光電子能譜法(XPS)所確定;
d.在保持該內腔中的該部分真空不被破壞的同時,熄滅該等離子體;
e.在保持該內腔中的該部分真空不被破壞的同時,通過阻隔PECVD涂覆工藝施加阻隔涂層或層,該阻隔PECVD涂覆工藝包括在進料包括線性硅氧烷前體和氧氣的氣體的同時,施加足夠的功率以在該內腔內產生等離子體,從而在該銜接涂層或層與該內腔之間產生SiOx的阻隔涂層或層,其中x為從1.5至2.9,如通過XPS所確定;
f.任選地,在保持該內腔中的該部分真空不被破壞的同時,熄滅該等離子體;以及
g.任選地,通過pH保護PECVD涂覆工藝在該阻隔涂層或層與該內腔之間施加SiOxCy的pH保護涂層或層,其中x為從約0.5至約2.4并且y為從約0.6至約3,各自如通過XPS所確定,該pH保護PECVD涂覆工藝包括在進料包括線性硅氧烷前體、任選的氧氣和任選的惰性氣體稀釋劑的氣體的同時,施加足夠的功率以在該內腔內產生等離子體;
從而形成,與通過除了在施加該銜接涂層或層與施加該阻隔涂層或層之間破壞該內腔中的該部分真空之外相同的工藝所制造的相應容器相比,具有更低的到該內腔中的氣體滲透速率常數的涂覆容器。
2.如任一前述權利要求所述的方法,其中進行所述步驟f。
3.如任一前述權利要求所述的方法,其中進行所述步驟g。
4.如任一前述權利要求所述的方法,其中通過施加脈沖功率在該內腔內產生等離子體來進行所述步驟c。
5.如任一前述權利要求所述的方法,其中通過施加脈沖功率在該內腔內產生等離子體來進行所述步驟e。
6.如任一前述權利要求所述的方法,其中通過施加脈沖功率在該內腔內產生等離子體來進行所述步驟g。
7.如任一前述權利要求所述的方法,通過進一步包括以下方面的工藝形成:在所述步驟d與e之間,停止該包括線性硅氧烷前體、任選的氧氣和任選的惰性氣體稀釋劑的氣體的進料。
8.如任一前述權利要求所述的方法,通過進一步包括以下方面的工藝形成:在所述步驟f與g之間,停止該包括線性硅氧烷前體和氧氣的氣體的進料。
9.如任一前述權利要求所述的方法,進一步包括在該內腔中提供流體組合物的后續步驟。
10.如權利要求9所述的方法,其中該流體組合物包含抗凝血試劑,例如檸檬酸鈉緩沖溶液。
11.如任一前述權利要求所述的方法,其中在每個涂覆工藝中使用相同的線性硅氧烷前體。
12.如任一前述權利要求所述的方法,其中各線性硅氧烷前體是HMDSO或TMDSO、優選HMDSO。
13.如任一前述權利要求所述的方法,其中該壁包含聚酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN);聚烯烴、環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)、聚丙烯(PP)或聚碳酸酯,優選COP。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





