[發(fā)明專利]用于快速退火含有銦頂層的薄層堆疊體的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680060452.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-10-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108137395A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A.迪蓋;N.梅卡迪耶;J.斯科爾斯基;M.奧爾文;C.約瑟夫;Y.邦圣科姆 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 法國圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號(hào)： | C03C17/36 | 分類號(hào)： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黃念 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 堆疊體 薄層 基材 發(fā)射裝置 玻璃片材 頂層 持續(xù)時(shí)間期間 電磁輻射照射 電磁輻射 熱處理 快速退火 相對(duì)位移 銦基合金 銦金屬層 波長 涂覆 優(yōu)選 氧氣 升高 | ||
1.一種熱處理方法，其包括在含有氧氣(O2)的氣氛下，用具有500-2000nm的波長的電磁輻射照射包含透明片材，優(yōu)選玻璃片材的基材，該片材在其表面之一上涂覆有薄層堆疊體，其中所述電磁輻射由面向所述薄層堆疊體放置的發(fā)射裝置發(fā)出，在所述發(fā)射裝置和所述基材之間產(chǎn)生相對(duì)位移以便在短于1秒，優(yōu)選短于0.1秒的短暫持續(xù)時(shí)間期間將所述薄層堆疊體升高到至少等于300℃的溫度，所述方法的特征在于所述堆疊體的與該氣氛接觸的被稱為頂層的最后層為銦金屬層或銦基合金金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述頂層的單位面積質(zhì)量，其以每單位面積的金屬原子的質(zhì)量表示，為1至30μg/cm2，優(yōu)選為3至25μg/cm2。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述頂層是銦基合金層，其包含相對(duì)于該合金的金屬原子總量超過70％的銦原子，優(yōu)選超過80％的銦原子。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述頂層是銦錫合金(InSn)層，特別是含有約90％銦原子和10％錫原子的合金的層。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述薄層堆疊體具有至少一個(gè)與跟所述氣氛接觸的頂層不同的導(dǎo)電層，這種導(dǎo)電層為金屬層或透明導(dǎo)電氧化物層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述薄層堆疊體是低輻射率堆疊體，其在兩個(gè)介電層之間包括至少一個(gè)反射紅外輻射的金屬層，優(yōu)選為銀層。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述薄層堆疊體的倒數(shù)第二層，其直接位于與該氣氛接觸的保護(hù)層的下方，是氧化銦錫(ITO)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述熱處理導(dǎo)致薄層堆疊體的薄層電阻和/或發(fā)射率降低至少15％，優(yōu)選至少20％。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述電磁輻射是激光輻射。
10.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述激光輻射的波長為900-1100nm，優(yōu)選950-1050nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述激光輻射是以激光線的形式聚焦在所述頂層的平面位置的激光束，所述激光線同時(shí)照射所述基材的全部或部分寬度，優(yōu)選地基材的全部寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，電磁輻射的發(fā)射裝置是閃光燈。
13.一種用于實(shí)施根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法的基材，其包含透明片材，優(yōu)選玻璃片材，該片材在其表面之一上涂覆有薄層堆疊體，其特征在于該堆疊體的與所述氣氛接觸的被稱為頂層(overcoat)的最后層是銦層或銦基合金層，優(yōu)選為銦錫合金(InSn)層。
14.一種可通過權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的方法獲得的基材，其包含未淬火的玻璃片材，在玻璃片材的表面之一上涂覆有薄層堆疊體，該薄層堆疊體在兩個(gè)薄介電層之間包含薄銀層，其特征在于，與該氣氛接觸的薄層堆疊體的最后層是氧化銦或氧化銦錫(ITO)的層，其具有為1-30μg/cm2，優(yōu)選3-25μg/cm2的以每單位面積的金屬原子質(zhì)量表示的單位面積質(zhì)量。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基材，其特征在于，所述氧化銦層或氧化銦錫(ITO)層具有表面凸起，其中該表面凸起具有為1-5nm的通過原子力顯微鏡(AFM)測定的均方差(Ra)，所述凸起的基本構(gòu)件的大部分具有拋物峰形狀。
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