[發明專利]對CVD反應器中的電極夾持器進行絕緣和密封的設備

有效

• 申請號: 201680060401.3
• 申請日: 2016-10-10
• 公開（公告）號: CN108138318B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: D·倫施密德;H·克勞斯;C·庫察
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C23C16/24
• 分類號: C23C16/24;C01B33/035;C23C16/44;F16J15/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李振東;過曉東

1.對CVD反應器中的電極夾持器進行絕緣和密封的設備，所述反應器包括適合于容納細絲棒的電極，電極位于由導電材料制成并且安裝在底板的凹坑中的電極夾持器上，其中在電極夾持器與底板之間設置有由在室溫下的熱導率為0.2至50W/mK、最小彎曲強度大于120MPa且在室溫下的電阻率大于10⁹Ω· cm的材料制成的電絕緣環，其中在電極夾持器與底板之間具有至少兩個環形密封元件以實現密封，其中所述至少兩個環形密封元件并不是位于所述電絕緣環的相同側，其中電絕緣環或電極夾持器或底板包括至少一個凹槽，第一密封元件固定在凹槽中，其中在電絕緣環與底板之間或者在電絕緣環與電極夾持器之間具有至少一個并非固定在凹槽中的第二密封元件。

2.根據權利要求1的設備，其中所述電絕緣環的材料選自以下組中：氧化鋁、氮化硅、氮化硼、氧化鋯以及用氧化釔穩定化的氧化鋯、用氧化鎂穩定化的氧化鋯和用氧化鈣穩定化的氧化鋯。

3.根據權利要求1或根據權利要求2的設備，其中所述第一密封元件是石墨薄膜環。

4.根據權利要求1或根據權利要求2的設備，其中所述第一密封元件是金屬O形環或具有開口剖面的具有彈簧作用的金屬密封件。

5.根據權利要求4的設備，其中所述金屬密封件具有C形剖面并且用銀涂覆。

6.根據權利要求1至5之一的設備，其中所述第二密封元件是由石墨或PTFE制成的密封墊。

7.根據權利要求6的設備，其中通過用金屬箔或銀箔圍繞密封墊的反應器側密封面卷邊，從而將所述密封墊在其反應器側的密封圓周上裝入腔室。

8.生產多晶硅的方法，包括將包含含硅組分和氫的反應氣體引入CVD反應器中，反應器包括至少一根位于根據權利要求1至7之一的設備上的細絲棒，細絲棒利用電極進行供電并由此通過直接流通電流而加熱至在細絲棒上沉積多晶硅的溫度。