[發明專利]半導體器件、半導體器件封裝和包括其的照明系統

有效

• 申請號: 201680060204.1
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN108352425B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 崔宰熏;樸海進;崔洛俊;金炳祚
• 申請（專利權）人: 蘇州樂琻半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/20;H01L33/22
• 代理公司: 蘇州錦尚知識產權代理事務所(普通合伙) 32502
• 代理人: 滕錦林

1.一種半導體器件，包括：

襯底，所述襯底包括凹凸圖案；

緩沖層，所述緩沖層被設置在所述襯底上；

發光結構，所述發光結構被設置在所述緩沖層上并且包括第一導電半導體層、第二導電半導體層和插入在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間以發射紫外光的有源層；

多個空氣空隙，所述多個空氣空隙被設置在所述緩沖層中；以及

其中，所述空氣空隙中的每個包括至少兩個傾斜琢面，

其中，所述至少兩個傾斜琢面被設置成面對所述發光結構，

其中，所述空氣空隙與所述凹凸圖案隔開，

其中，所述空氣空隙位于所述襯底中的所述凹凸圖案的凹形圖案上方，

其中，在垂直方向中，所述空氣空隙的最下部分被設置在所述襯底中的所述凹凸圖案的凸形圖案的最上部分上方，

其中，所述空氣空隙的寬度等于或小于所述襯底中的所述凹凸圖案的所述凹形圖案的寬度的一半。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述空氣空隙包括鄰近于所述第一導電半導體層的第一區域和鄰近于所述襯底的第二區域，以及

其中，所述傾斜琢面被設置在所述第一區域中。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，在所述襯底和所述空氣空隙之間的距離范圍是從200nm到300nm。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，在所述襯底和所述空氣空隙的第一區域的端部之間的距離范圍是從500nm到900nm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述傾斜琢面的最上部分位于鄰近所述第一導電半導體層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述凹凸圖案的凹形圖案具有0.5μm的寬度并且所述凹凸圖案的凸形圖案具有1.2μm的寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述凹凸圖案具有1.2μm的高度，以及

其中，所述空氣空隙具有3μm的高度。

8.一種半導體器件封裝，包括：

襯底，所述襯底包括凹凸圖案；

緩沖層，所述緩沖層被設置在所述襯底的一側處；

發光結構，所述發光結構被設置在所述緩沖層的一側處并且包括第一導電半導體層、有源層和第二導電半導體層；

底座，所述底座被設置成與所述襯底相對；

第一突起，所述第一突起被設置在所述發光結構和所述底座之間并且被電連接到所述第一導電半導體層；

第二突起，所述第二突起被設置在所述發光結構和所述底座之間并且被電連接到所述第二導電半導體層；

其中，所述緩沖層包括多個空氣空隙，

其中，所述空氣空隙中的每個包括至少兩個傾斜琢面，

其中，所述至少兩個傾斜琢面被設置成面對所述發光結構，以及

其中，所述空氣空隙與所述凹凸圖案隔開，

其中，所述空氣空隙位于所述襯底中的所述凹凸圖案的凹形圖案上方，

其中，在垂直方向中，所述空氣空隙的最下部分被設置在所述襯底中的所述凹凸圖案的凸形圖案的最上部分上方，

其中，所述空氣空隙的寬度等于或小于所述襯底中的所述凹凸圖案的所述凹形圖案的寬度的一半。

9.根據權利要求8所述的半導體器件封裝，其中，所述空氣空隙包括鄰近于所述第一導電半導體層的第一區域和鄰近于所述襯底的第二區域，以及

其中，至少兩個傾斜琢面被設置在所述第一區域中。

10.根據權利要求8所述的半導體器件封裝，

其中，第一金屬焊盤被插入在所述底座與所述第一突起之間，

其中，第二金屬焊盤被插入在所述底座與所述第二突起之間，

其中，第一反射層被設置在所述底座與第一金屬焊盤之間，

其中，第二反射層被設置在所述底座與所述第二金屬焊盤之間，以及

其中，所述空隙的至少兩個傾斜琢面被設置成面向所述第一反射層和所述第二反射層。