[發明專利]偏振元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201680060125.0
• 申請日: 2016-10-24
• 公開（公告）號: CN108139531B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 武田吐夢;佐川秀人
• 申請（專利權）人: 迪睿合株式會社
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G02F1/1335
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;閆小龍

1.一種偏振元件，是具有線柵構造的偏振元件，其特征在于具備：

透明基板；以及

格子狀凸部，在所述透明基板上以比使用波段的光的波長小的間距排列，并沿既定方向延伸，

所述格子狀凸部包含形成在所述透明基板上的反射層，

所述反射層具有金屬層和氧化物層，所述氧化物層從所述既定方向來看，覆蓋所述金屬層的側面，并由構成所述金屬層的金屬的氧化物構成，

所述格子狀凸部的排列方向的所述格子狀凸部的寬度即柵寬度為35～45nm，從所述既定方向來看，當設所述排列方向上的、所述柵寬度中所占的將存在于所述金屬層的左側及右側的所述氧化物層加在一起的寬度的比例為x時，則為28≤x＜48％。

2.如權利要求1所述的偏振元件，其特征在于：

所述格子狀凸部進一步包含形成在所述反射層上的電介質層、和形成在所述電介質層上的吸收層。

3.如權利要求1或2所述的偏振元件，其特征在于：

光入射的所述偏振元件的表面被由電介質構成的保護膜覆蓋。

4.如權利要求1或2所述的偏振元件，其特征在于：

所述氧化物層越靠近最表面，構成所述金屬層的金屬的氧化的程度越高。

5.一種偏振元件的制造方法，該偏振元件是具有線柵構造的偏振元件，所述制造方法包含：

在透明基板上形成以比使用波段的光的波長小的間距排列并沿既定方向延伸的形成格子狀凸部用的金屬層的工序；

在所述金屬層上形成電介質層的工序；

在所述電介質層上形成吸收層的工序；以及

在形成所述吸收層后，使所述金屬層氧化而在所述金屬層的側面形成由構成所述金屬層的金屬的氧化物構成的氧化物層的工序，

所述格子狀凸部的排列方向的所述格子狀凸部的寬度即柵寬度為35～45nm，從所述既定方向來看，當設所述排列方向上的、所述柵寬度中所占的將存在于所述金屬層的左側及右側的所述氧化物層加在一起的寬度的比例為x時，則為28≤x＜48％。

6.如權利要求5所述的偏振元件的制造方法，其特征在于：

在形成所述氧化物層的工序中，通過熱處理來氧化所述金屬層。

7.如權利要求6所述的偏振元件的制造方法，其特征在于：

所述氧化物層越靠近最表面，構成所述金屬層的金屬的氧化的程度越高。

8.一種偏振元件的制造方法，其中所述偏振元件具備透明基板、和在所述透明基板上以比使用波段的光的波長小的間距排列并沿既定方向延伸的格子狀凸部，并具有所述格子狀凸部的排列方向的所述格子狀凸部的寬度即柵寬度為35～45nm的線柵構造，在入射光為綠色波段的光（波長λ＝520nm～590nm）的情況下具有透射軸透射率為93.5％以上的透射特性，所述偏振元件的制造方法包含：

在所述透明基板上形成以比使用波段的光的波長小的間距排列并沿所述既定方向延伸的金屬層的工序；

在所述金屬層上形成電介質層的工序；

在所述電介質層上形成吸收層的工序；以及

在形成所述吸收層后，使所述金屬層氧化而在所述金屬層的側面形成由構成所述金屬層的金屬的氧化物構成的氧化物層的工序，從所述既定方向來看，當設所述排列方向上的、所述柵寬度中所占的將存在于所述金屬層的左側及右側的所述氧化物層加在一起的寬度的比例為x時，形成在28≤x＜48％的范圍且滿足所述透射特性的厚度的所述氧化物層。