[發(fā)明專利]使用納米結(jié)構(gòu)化涂層的OLED的光提取

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680059947.7
• 申請日: 2016-09-23
• 公開（公告）號: CN108474875B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設計）人: 大衛(wèi)·尤金·貝克;李流;帕梅拉·阿琳·瑪瑞伊;羅伯特·亞當·莫達維斯;丹尼爾·阿洛伊修斯·諾蘭;瓦格薩·西那拉特內(nèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 康寧公司
• 主分類號: G02B5/02
• 分類號: G02B5/02;H01L51/52;H01L51/00;G02B1/111
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;吳啟超

1.一種有機發(fā)光二極管(OLED)，包括：

上部二極管結(jié)構(gòu)，包括：陰極、陽極和有機發(fā)光半導體材料，所述有機發(fā)光半導體材料插置在所述陰極與所述陽極之間；和

下部光衍射結(jié)構(gòu)，提供來自所述上部二極管結(jié)構(gòu)的光的散射剖面；其中

所述下部光衍射結(jié)構(gòu)包括：

平坦化層，具有折射率n_s，其中所述平坦化層的厚度小于約0.5微米；

透明基板，具有折射率n_g；和

波導層，具有分布在所述透明基板上方的折射率n_w；

其中所述波導層包括：

結(jié)合基質(zhì)；和

至少一個納米顆粒；

其中所述波導層插置在所述透明基板與所述平坦化層之間，并且

其中所述波導層具有小于或等于約0.05微米的表面粗糙度。

2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中n_w大于n_g并且n_w大于n_s。

3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管，其中|n_s-n_g|小于或等于0.5。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述波導層具有至少約1.7的有效折射率。

5.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述波導層具有從約1.8至約2.1的有效折射率。

6.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述納米顆粒具有沿著它們的最長尺寸的從約5nm至約1000nm的平均直徑。

7.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述納米顆粒包括無機納米顆粒。

8.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光二極管，其中所述無機納米顆粒包括金屬氧化物。

9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管，其中所述金屬氧化物包括ZrO₂、ZnO、TiO₂、HfO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、或它們的硅酸鹽中的至少一者。

10.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述波導層具有小于約0.03微米的表面粗糙度。

11.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述平坦化層的厚度小于約0.3微米。

12.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述結(jié)合基質(zhì)和所述平坦化層包括硅酸鹽或有機硅材料中的至少一種。

13.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述結(jié)合基質(zhì)包括為所述平坦化層制得的材料。

14.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述波導層是具有孔隙率且包括納米顆粒的多孔結(jié)構(gòu)。

15.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光二極管，其中所述多孔結(jié)構(gòu)的所述孔隙率為從約20％至約60％。

16.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中所述波導層包括從約10％至約35％的納米顆粒。

17.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的有機發(fā)光二極管，其中納米顆粒材料具有從約1.8至約2.1的有效折射率。