[發明專利]用于光學數據存儲的介質、系統和方法有效
| 申請號: | 201680058808.2 | 申請日: | 2016-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN108292511B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 顧敏;曹耀宇;甘棕松;李向平;本杰明·馬斯福特;任浩然;張啟明 | 申請(專利權)人: | 上海納光信息科技有限公司 |
| 主分類號: | G11B7/254 | 分類號: | G11B7/254;G11B7/245;G11B7/243;G11B7/241;G11B7/0037;G11B7/242 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 201112 上海市徐*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 光學 數據 存儲 介質 系統 方法 | ||
1.一種用作光學數據記錄介質的納米復合材料,所述納米復合材料包括被嵌入在主體基質中的納米粒子,其中:
所述主體基質包括具有高結構穩定性的材料;以及
所述納米粒子包括光學功能成分,所述光學功能成分具有第一物理或化學狀態并且具有在暴露于相應的光輻射時永久轉變至第二物理或化學狀態的性質,
由此,能夠在延長的時間段內以所述光學功能成分的第一物理或化學狀態和第二物理或化學狀態來記錄信息;
其中,所述光學功能成分包括金屬納米粒子,其中,在所述第一化學/物理狀態下,所述金屬納米粒子包括金屬納米棒,并且在所述第二化學/物理狀態下,所述金屬納米粒子包括納米球,并且其中,通過暴露于光學記錄光束來實現永久轉變至第二物理狀態。
2.根據權利要求1所述的納米復合材料,其中,所述主體基質包括楊氏模量超過1GPa的材料。
3.根據權利要求1所述的納米復合材料,其中,所述主體基質包括楊氏模量超過10GPa的材料。
4.根據權利要求1所述的納米復合材料,其中,所述主體基質包括楊氏模量超過20GPa的材料。
5.根據權利要求2所述的納米復合材料,其中,所述主體基質包括包含有機成分和無機成分的雜化復合材料。
6.根據權利要求5所述的納米復合材料,其中,所述主體基質包括有機聚合物和無機材料。
7.根據權利要求6所述的納米復合材料,其中,所述有機聚合物選自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚碳酸酯(PC),并且所述無機材料選自金屬或硅的一種或更多種氧化物。
8.根據權利要求6所述的納米復合材料,其中,所述主體基質的無機成分的比例超過50%。
9.根據權利要求6所述的納米復合材料,其中,所述主體基質的無機成分的比例超過70%。
10.根據權利要求6所述的納米復合材料,其中,所述主體基質的無機成分的比例超過80%。
11.根據權利要求6所述的納米復合材料,其中,所述主體基質的無機成分的比例超過90%。
12.一種包括根據權利要求1所述的納米復合材料的記錄介質,所述記錄介質被設置在襯底上。
13.一種包括多個層的記錄介質,其中,至少一個層包括外保護層,并且至少一個其他層包括納米復合材料,所述納米復合材料具有被嵌入在主體基質中的納米粒子,其中:
所述主體基質包括具有高結構穩定性的材料;以及
所述納米粒子包括光學功能成分,所述光學功能成分具有第一物理或化學狀態并且具有在暴露于相應的光輻射時永久轉變至第二物理或化學狀態的性質,
由此,能夠在延長的時間段內以所述光學功能成分的第一物理或化學狀態和第二物理或化學狀態來記錄信息;
其中,所述納米復合材料為權利要求1-11任一項所述的納米復合材料。
14.根據權利要求13所述的記錄介質,所述記錄介質包括盤。
15.根據權利要求13所述的記錄介質,所述記錄介質包括設置在所述納米復合材料層的相對兩側上的至少兩個保護層。
16.根據權利要求13所述的記錄介質,其中,所述納米復合材料層的厚度足以允許多個內部信息存儲層。
17.根據權利要求13所述的記錄介質,還包括跟蹤層,所述跟蹤層具有徑向布置的可檢測跟蹤元件。
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