[發明專利]半導體裝置和用于制造半導體裝置的方法有效
| 申請號： | 201680058117.2 | 申請日： | 2016-10-07 |
| 公開（公告）號： | CN108140628B | 公開（公告）日： | 2021-11-16 |
| 發明（設計）人： | 脅山悟;清水完;林利彥;中村卓矢;城直樹 | 申請（專利權）人： | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L21/60;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 姚鵬;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 用于 制造 方法 | ||
1.半導體裝置，包括：
第一半導體元件，所述第一半導體元件包括至少一個具有凹陷形狀的凸塊焊盤，所述至少一個凸塊焊盤包括第一金屬層和所述第一金屬層上的第二金屬層；
第二半導體元件，所述第二半導體元件包括至少一個電極；和
微凸塊，所述微凸塊將所述至少一個凸塊焊盤電氣地連接到所述至少一個電極，
其中所述微凸塊包括所述第二金屬層的擴散部，并且
其中所述第一半導體元件或者所述第二半導體元件包括像素單元，
其中，所述至少一個凸塊焊盤包括第三金屬層，并且所述第一金屬層在所述第三金屬層上，
其中，所述第一金屬層包括Co，所述第二金屬層的所述擴散部擴散到所述微凸塊中，并且所述第三金屬層由TiN形成，
所述第二金屬層具有比所述第一金屬層更高的對所述微凸塊的擴散性。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述微凸塊包括Sn基焊料。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，
所述至少一個凸塊焊盤包括具有不同直徑的多個凸塊焊盤，并且，
所述至少一個電極包括對應于所述多個凸塊焊盤的多個電極。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，
所述不同直徑是根據待連接的所述多個電極的用途而彼此不同的。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述微凸塊的直徑對應于所述至少一個凸塊焊盤的直徑。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述第一金屬層的平均厚度為15nm以上。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述第三金屬層的平均厚度為10nm以上。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述第二金屬層由Cu、Ni、Pd、Au或者Pt形成。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其中，
所述至少一個凸塊焊盤是設置在所述第一半導體元件的表面上的開口部，用于將所述微凸塊連接到所述第一半導體元件中的貫通電極。
10.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其中，
所述至少一個凸塊焊盤是設置在所述第一半導體元件的表面上的開口部，用于將所述微凸塊連接到所述第一半導體元件中的金屬布線。
11.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，
其中，所述第一半導體元件是所述像素單元，并且所述第二半導體元件是邏輯芯片，該邏輯芯片通過晶片上芯片連接而被連接到所述第一半導體元件。
12.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其中
所述半導體裝置是攝像裝置。
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