[發明專利]碳化硅外延基板及用于制造碳化硅半導體裝置的方法有效
| 申請號： | 201680057722.8 | 申請日： | 2016-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN108138360B | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發明（設計）人： | 西口太郎;平塚健二 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德駿 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 外延 用于 制造 半導體 裝置 方法 | ||
1.一種碳化硅外延基板，其包含：
具有第一主表面的碳化硅單晶基板；和
在所述第一主表面上的碳化硅層，
所述碳化硅層包含與所述碳化硅單晶基板接觸的表面的相反側的第二主表面，
所述第二主表面對應于相對于{0001}面在偏離方向上傾斜的面，
所述第二主表面具有100mm以上的最大直徑，
所述第二主表面具有外周區域和中心區域，所述外周區域距所述第二主表面的外緣在3mm以內，所述中心區域被所述外周區域包圍，
所述中心區域具有沿與所述偏離方向垂直的直線排列的第一半環的第一位錯陣列，
所述第一半環各自包含在所述第二主表面露出的一對貫通刃型位錯，
所述中心區域中所述第一位錯陣列的面密度為10/cm2以下，
其中所述第一位錯陣列中所包含的多個第一半環的各自的深度基本相同，
其中所述中心區域具有沿相對于所述偏離方向傾斜的直線排列的第二半環的第二位錯陣列，
所述第二半環各自包含在第二主表面露出的一對貫通刃型位錯，
所述中心區域中所述第一位錯陣列的面密度低于所述第二位錯陣列的面密度。
2.根據權利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述最大直徑為150mm以上。
3.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延基板，其中，
所述偏離方向為11-20方向。
4.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延基板，其中，
所述第二主表面對應于相對于(0001)面傾斜4°以下的面。
5.根據權利要求1或2所述的碳化硅外延基板，其中，
所述第二主表面對應于相對于(000-1)面傾斜4°以下的面。
6.一種碳化硅外延基板，其包含：
具有第一主表面的碳化硅單晶基板；和
在所述第一主表面上的碳化硅層，
所述碳化硅層包含與所述碳化硅單晶基板接觸的表面的相反側的第二主表面，
所述第二主表面對應于相對于(0001)面在11-20方向上傾斜4°以下的面，
所述第二主表面具有150mm以上的最大直徑，
所述第二主表面具有外周區域和中心區域，所述外周區域距所述第二主表面的外緣在3mm以內，所述中心區域被所述外周區域包圍，
所述中心區域具有沿與所述11-20方向垂直的直線排列的第一半環的第一位錯陣列，
所述第一半環各自包含在所述第二主表面露出的一對貫通刃型位錯，
所述中心區域中所述第一位錯陣列的面密度為10/cm2以下，
其中所述第一位錯陣列中所包含的多個第一半環的各自的深度基本相同，
其中所述中心區域具有沿相對于所述11-20方向傾斜的直線排列的第二半環的第二位錯陣列，
所述第二半環各自包含在第二主表面露出的一對貫通刃型位錯，
所述中心區域中所述第一位錯陣列的面密度低于所述第二位錯陣列的面密度。
7.一種用于制造碳化硅半導體裝置的方法，所述方法包括：
準備權利要求1至6中任一項所述的碳化硅外延基板的步驟；和
加工所述碳化硅外延基板的步驟。
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