[發明專利]用于產生中子的設備和方法

在審

• 申請號: 201680057524.1
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN108140431A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 阿拉舍·摩法卡米
• 申請（專利權）人: 諾伊斯卡公司
• 主分類號: G21B1/19
• 分類號: G21B1/19;H05H3/06;H05H6/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華;何月華

1.一種用于產生和/或捕獲中子的方法，包括以下步驟：

a)使選自質子、氘核和/或氚核的核經受電場以提取所述核，并將適時地提取的核朝著包含自由電子的靶(20)導向，

b)使所述核經受第一磁場的空間和/或時間梯度，以便為所述核的磁矩提供預定取向，以及

c)使所述靶經受第二磁場，從而為所述靶的自由電子的磁矩提供預定取向。

2.根據前一項權利要求所述的方法，其中，所述核的磁矩和所述自由電子的磁矩在同一方向上對齊。

3.根據前一項權利要求所述的方法，其中，所述核的磁矩以及所述自由電子的磁矩與所述核朝向所述靶的移位的方向平行，以相同方向或相反方向平行。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，通過施加射頻或放電產生氫和/或氘和/或氚的等離子體來獲得所述核。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，使所述核經受射頻，從而為所述核的磁矩提供預定取向。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述靶包含鐵磁材料和/或超順磁材料，且所述靶經受磁場，從而為所述靶的自由電子的磁矩提供預定取向。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，使所述靶經受射頻，從而為所述靶的自由電子的磁矩提供預定取向。

8.根據緊接的前述三項權利要求中任一項所述的方法，其中，使用射頻發生器(8)以10kHz和50GHz之間的頻率施加射頻。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所施加的電場通過一個或多個電極、特別是一對陽極/接地電極(12，13)獲得，所述一對陽極/接地電極由電極支承件(24)承載。

10.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，施加的所述第一磁場在容納所述核的殼體(2)的體積上具有0.001特斯拉/米至1000特斯拉/米之間的空間梯度。

11.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述靶的自由電子經受所述第二磁場的空間和/或時間梯度。

12.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述靶(20)是金屬。

13.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，將所述靶(20)加熱至100℃與4000℃之間、更好地在200℃與1700℃之間的溫度。

14.一種用于產生和/或捕獲中子的設備，包括：

a)殼體(2)，在所述殼體中，能夠放置選自質子、氘核和/或氚核的核，

b)用于施加第一磁場的空間和/或時間梯度以為存在于所述殼體中的所述核的磁矩提供預定取向的部件，

c)用于施加電場以提取所述核并將適時地提取的核朝向電子導向的部件，以及

d)用于向所述電子施加第二磁場以為所述電子的磁矩提供預定取向的部件。

15.根據前一項權利要求所述的設備，其中，所述核的磁矩和所述自由電子的磁矩在同一方向上對齊。

16.根據前一項權利要求所述的設備，其中，所述核的磁矩以及所述自由電子的磁矩與所述殼體中的所述核的移位的方向平行，以相同方向或相反方向平行。

17.根據權利要求14至16中任一項所述的設備，包括圍繞所述殼體的射頻發生器，使得能夠在所述殼體中產生氫或氘和/或氚的等離子體。