[發明專利]具有自由形成的自支撐垂直互連件的電子模塊

有效

• 申請號: 201680057115.1
• 申請日: 2016-08-05
• 公開（公告）號: CN108140638B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: B·W·皮蘭斯;J·麥克斯帕登
• 申請（專利權）人: 雷神公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 鄭勇

1.一種用于組裝電子模塊的方法，包括以下步驟：

將基底電子組件安裝在基底襯底上；

將覆蓋電子組件安裝在覆蓋襯底上，其中所述覆蓋電子組件和所述基底電子組件各自包含具有電接觸表面的外部可尋址面；

通過逐層添加制造過程將導電細絲直接沉積到所述基底電子組件上或者直接沉積到所述覆蓋電子組件上；

使用所沉積的導電細絲自由形成自支撐互連支柱，所述自由形成的自支撐互連支柱從所述基底電子組件或所述覆蓋電子組件豎直延伸；

將所述覆蓋襯底布置在相對的基底襯底上方并且使所述基底電子組件與所述覆蓋電子組件對準；

使用所述自由形成的自支撐互連支柱將所述基底電子組件電連接到所述覆蓋電子組件；

將可壓縮電轉接層附接在所述自由形成的自支撐互連支柱的自由端處；以及

將所述可壓縮電轉接層電插入在相應的自由形成的自支撐互連支柱與所述基底電子組件或所述覆蓋電子組件之間的電路徑中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述導電細絲是導電膏。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，沉積所述導電膏以形成長度與寬度縱橫比是至少3：1的所述自由形成的自支撐互連支柱。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述覆蓋電子組件的外部可尋址面與所述基底電子組件的外部可尋址面對準并且相對面向；且

其中，將所述導電膏沉積在所述基底電子組件的電接觸表面上或者沉積在所述覆蓋電子組件的電接觸表面上，并且在筆直路徑中形成所述自由形成的自支撐互連支柱，以與所述基底電子組件或所述覆蓋電子組件的相對電接觸表面電連接。

5.根據權利要求4所述的方法，

其中，將多個基底電子組件安裝在所述基底襯底上，并且將多個覆蓋電子組件安裝在所述覆蓋襯底上；

其中，所述多個覆蓋電子組件的外部可尋址面中的至少其中之一相對于所述多個覆蓋電子組件的外部可尋址面中的至少另一個是非平面的，和/或所述多個基底電子組件的外部可尋址面中的至少其中之一相對于所述多個基底電子組件的外部可尋址面中的至少另一個是非平面的；以及

其中，將所述導電膏沉積在所述多個基底電子組件中的一個或多個上和/或所述多個覆蓋電子組件中的一個或多個上，以形成具有不同縱向長度的多個所述自由形成的自支撐互連支柱，以將所述多個基底電子組件電連接到所述多個覆蓋電子組件，并且適應所述多個基底電子組件和/或所述多個覆蓋電子組件的相應外部可尋址面的非平面性。

6.根據權利要求2所述的方法，其中，沉積所述導電膏以形成具有基本上為圓柱形形狀的所述自由形成的自支撐互連支柱；以及

其中，在橫向剖面上并且沿著所述自由形成的自支撐互連支柱的縱向長度的導電性是均勻的。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述自由形成的自支撐互連支柱的導電性是1×10⁷西門子/米或更大。

8.根據權利要求2所述的方法，其中，通過逐層添加制造過程來沉積所述導電膏以形成所述自由形成的自支撐互連支柱。

9.根據權利要求2所述的方法，其中，在單個擠出步驟中沉積所述導電膏以形成從所述基底電子組件或所述覆蓋電子組件豎直延伸的至少一個自由形成的自支撐互連支柱。

10.根據權利要求2所述的方法，進一步包括使所述導電膏固結的步驟。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，安裝在所述覆蓋襯底上的所述覆蓋電子組件產生的熱比安裝在所述基底襯底上的所述基底電子組件產生的熱更多。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括以下步驟：

將冷板附接到所述覆蓋襯底；以及

冷卻所述覆蓋電子組件。