[發明專利]用于有機膜的化學機械研磨漿料組合物及使用其的研磨方法

在審

• 申請號: 201680057069.5
• 申請日: 2016-09-29
• 公開（公告）號: CN108138030A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 崔正敏;能條治輝;金高恩;金容國;樸容淳
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;C09G1/02;H01L21/306
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 彭雪瑞;臧建明

1.一種用于有機膜的化學機械研磨漿料組合物，其特征在于，包含：

超純水、磨料、含四價鈰離子的鈰鹽及氧化劑，

其中所述氧化劑在酸性區中具有1.72電子伏特或高于1.72電子伏特的氧化電位，且所述化學機械研磨漿料組合物的pH值為1至7。

2.根據權利要求1所述的化學機械研磨漿料組合物，其中所述含四價鈰離子的鈰鹽存在三價鈰離子及四價鈰離子，且所述四價鈰離子的濃度是所述三價鈰離子的濃度的十倍或十倍以上。

3.根據權利要求1所述的化學機械研磨漿料組合物，其中所述氧化劑包含過氧化氫、過硫酸鉀、過硫酸鈉及過硫酸銨中的至少一者。

4.根據權利要求1所述的化學機械研磨漿料組合物，其中所述磨料以0.1重量％至20重量％的量存在于所述化學機械研磨漿料組合物中，且具有平均粒徑為10納米至100納米的膠體氧化硅。

5.根據權利要求1所述的化學機械研磨漿料組合物，其中所述有機膜是含有碳-氫鍵的碳系膜。

6.根據權利要求5所述的化學機械研磨漿料組合物，其中所述碳系膜是C-旋涂硬遮罩膜、非晶碳層(amorphous carbon layer)或NCP膜。

7.根據權利要求1所述的化學機械研磨漿料組合物，還包含pH調整劑及有機酸中的至少一者。

8.根據權利要求1所述的化學機械研磨漿料組合物，其中所述化學機械研磨漿料組合物對于所述有機膜具有1,000埃/分鐘或高于1,000埃/分鐘的研磨速率。

9.一種有機膜研磨方法，其特征在于，包括：

使用根據權利要求1至8中任一項所述的化學機械研磨漿料組合物來研磨有機膜。

10.根據權利要求9所述的有機膜研磨方法，包括：

在基底層上形成具有雕刻圖案的無機膜；

在所述無機膜的表面上形成所述有機膜，以填充所述雕刻圖案；以及

使用所述化學機械研磨漿料組合物而自所述無機膜的上面未形成有所述雕刻圖案的表面移除所述有機膜。

11.根據權利要求9所述的有機膜研磨方法，其中所述有機膜是通過自對準雙重圖案化技術(self-aligned double patterning technology：SaDPT)而形成的抗蝕劑膜。