[發明專利]SiC單晶錠

在審

• 申請號: 201680056842.6
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN108138359A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 中林正史
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王瀟悅;段承恩

1.一種SiC單晶錠，是在籽晶上具備SiC單晶的SiC單晶錠，其特征在于，

錠頂端的晶體生長端面具有凸面形狀，

將該錠的籽晶側底面設為零，并將從該錠側面向內側移動該錠直徑的10％的位置的晶體生長端面的高度設為1，從錠的高度方向上的相對高度至少處于0.2～0.8的范圍內的部分任意切取SiC單晶基板，此時，在該基板表面觀察到的基面位錯密度為1000個/cm²以下，且穿透螺旋位錯密度為500個/cm²以下，并且，在該基板的中心部測定的拉曼位移值(A)與在周邊部測定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指數為0.20以下。

2.根據權利要求1所述的SiC單晶錠，其特征在于，將所述錠的籽晶側底面設為零，并將從所述錠側面向內側移動所述錠直徑的10％的位置的晶體生長端面的高度設為1，從錠的高度方向上的相對高度至少處于0.2～0.9的范圍內的部分任意切取SiC單晶基板，此時，在該基板表面觀察到的基面位錯密度為1000個/cm²以下，且穿透螺旋位錯密度為500個/cm²以下，并且，在該基板的中心部測定的拉曼位移值(A)與在周邊部測定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指數為0.20以下。

3.根據權利要求1所述的SiC單晶錠，其特征在于，將所述錠的籽晶側底面設為零，并將從所述錠側面向內側移動所述錠直徑的10％的位置的晶體生長端面的高度設為1，從錠的高度方向上的相對高度至少處于0.2～0.8的范圍內的部分任意切取SiC單晶基板，此時，在該基板表面觀察到的基面位錯密度為500個/cm²以下，且穿透螺旋位錯密度300個/cm²以下，并且，在該基板的中心部測定的拉曼位移值(A)與在周邊部測定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指數為0.15以下。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的SiC單晶錠，其特征在于，將所述錠的籽晶側底面設為零，并將從所述錠側面向內側移動所述錠直徑的10％的位置的晶體生長端面的高度設為1，從錠的高度方向上的相對高度至少處于0.2～0.9的范圍內的部分任意切取SiC單晶基板，此時，在該基板表面觀察到的基面位錯密度為500個/cm²以下，且穿透螺旋位錯密度為300個/cm²以下，并且，在該基板的中心部測定的拉曼位移值(A)與在周邊部測定的拉曼位移值(B)之差(A-B)即拉曼指數為0.15以下。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的SiC單晶錠，其特征在于，具有能夠得到口徑為4英寸以上且低于6英寸的SiC單晶基板的大小。

6.根據權利要求1～4中的任一項所述的SiC單晶錠，其特征在于，具有能夠得到口徑為6英寸以上的SiC單晶基板的大小。

7.根據權利要求1～6中的任一項所述的SiC單晶錠，其特征在于，在所述基板表面觀察到的基面位錯密度與穿透螺旋位錯密度的合計為1000個/cm²以下。

8.根據權利要求1～7中的任一項所述的SiC單晶錠，其特征在于，實質上具有單一多型。

9.根據權利要求1～8中的任一項所述的SiC單晶錠，其特征在于，錠高度位置的晶體生長端面的中心點O、和從錠側面向內側移動直徑的10％的位置的晶體生長端面上的外周點E的高度之差(O-E)為1mm～7mm。

10.根據權利要求1～9中的任一項所述的SiC單晶錠，其特征在于，錠高度為25mm以上。