[發明專利]基板及處理基板的方法

有效

• 申請號: 201680056616.8
• 申請日: 2016-10-12
• 公開（公告）號: CN108140730B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: G·H·施;C·H·陶;G·T·莫瑞;A·桑達拉江
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01L27/24;H01L21/768
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

1.一種處理基板的方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板，所述基板具有聚合物介電層、形成在所述聚合物介電層內的金屬焊墊及形成在所述聚合物介電層的頂上的第一金屬層；

在所述基板的頂上沉積聚合物層；

將所述聚合物層圖案化，以將多個開口形成至所述第一金屬層的頂表面上，其中所述多個開口包括最靠近所述金屬焊墊所形成的第一開口；

在所述聚合物層的頂上且在所述聚合物層中所形成的所述多個開口內沉積第一阻障層；

在所述第一阻障層的頂上且在所述聚合物層中所形成的所述多個開口內沉積介電層；

從所述第一開口內及所述聚合物層的場區蝕刻所述介電層及所述第一阻障層；

在所述基板的頂上沉積第二阻障層；

在所述基板的頂上沉積第二金屬層，其中所述第二金屬層填充所述多個開口；及

從所述聚合物層的所述場區的一部分蝕刻所述第二金屬層。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述基板為硅、玻璃、陶瓷或電介質中的一者。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬焊墊為銅。

4.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的方法，其中所述第一金屬層或所述第二金屬層中的至少一者為銅層或鋁層。

5.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的方法，其中所述聚合物介電層為聚酰亞胺或聚苯并惡唑。

6.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的方法，其中所述聚合物層為聚苯并惡唑(PBO)層、聚酰亞胺層、苯并環丁烯(BCB)層、環氧樹脂層或感光材料層中的一者。

7.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的方法，其中所述第一阻障層為鈦。

8.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的方法，其中所述介電層為二氧化鉿(HfO₂)、氮化硅(Si₃N₄)或氧化鉭(Ta₂O₅)。

9.一種處理基板的方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板，所述基板具有圖案化的聚合物介電層，所述圖案化的聚合物介電層包括多個開口；

在所述圖案化的聚合物介電層的頂上并且在所述多個開口內沉積第一阻障層，其中沿著所述多個開口的側壁及所述多個開口的底部沉積所述第一阻障層；

在所述第一阻障層的頂上沉積介電層；

在所述介電層的頂上沉積第二阻障層；及

在所述圖案化的聚合物介電層的場區的一部分的頂上沉積金屬焊墊。

10.如權利要求9所述的方法，其中以下各項中的至少一項：

所述基板為硅、玻璃、陶瓷或電介質中的一者；

所述金屬焊墊為銅；

所述圖案化的聚合物介電層為聚苯并惡唑(PBO)層、聚酰亞胺層、苯并環丁烯(BCB)層、環氧樹脂層或感光材料層中的一者；

其中所述第一阻障層為鈦；或

所述介電層為二氧化鉿(HfO₂)、氮化硅(Si₃N₄)或氧化鉭(Ta₂O₅)中的一者。