[發(fā)明專利]多接合型光電轉(zhuǎn)換裝置和光電轉(zhuǎn)換模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680056492.3
• 申請(qǐng)日: 2016-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN108140735B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宇津恒;日野將志;市川滿;三島良太;目黑智巳;山本憲治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社鐘化
• 主分類號(hào): H01L51/44
• 分類號(hào): H01L51/44;H01L31/0725
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李書慧;金世煜

1.一種多接合型光電轉(zhuǎn)換裝置，是從受光面?zhèn)绕鹨来尉哂械谝还怆娹D(zhuǎn)換單元、中間層和第二光電轉(zhuǎn)換單元的多接合型光電轉(zhuǎn)換裝置，所述第一光電轉(zhuǎn)換單元含有鈣鈦礦型晶體結(jié)構(gòu)的感光性材料作為光吸收層，所述第二光電轉(zhuǎn)換單元包含晶體硅基板作為光吸收層，

所述第一光電轉(zhuǎn)換單元在所述光吸收層的受光面?zhèn)染哂锌昭▊鬏攲?，在所述光吸收層的背面?zhèn)染哂须娮觽鬏攲?，所述電子傳輸層為氧化鈦層且與所述中間層相接，

第二光電轉(zhuǎn)換單元具有與所述中間層相接的p型硅系薄膜，

所述電子傳輸層的折射率n1、所述p型硅系薄膜的折射率n2和所述中間層的折射率n滿足n1＜n＜n2、n2-n1≥0.7和

所述中間層為單層，折射率n為2.5～3.3，膜厚d為40～80nm，折射率n與膜厚d的乘積nd為125～264nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多接合型光電轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述中間層包含氧化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多接合型光電轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述中間層包含微晶體氧化硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的多接合型光電轉(zhuǎn)換裝置，其中，所述第二光電轉(zhuǎn)換單元在所述晶體硅基板的背面?zhèn)染邆鋘型硅系薄膜。

5.一種光電轉(zhuǎn)換模塊，具備權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的多接合型光電轉(zhuǎn)換裝置。