[發明專利]陶瓷接合體有效
| 申請號： | 201680056028.4 | 申請日： | 2016-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN108025986B | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 中村清隆;森山正幸 | 申請（專利權）人： | 京瓷株式會社 |
| 主分類號： | C04B37/00 | 分類號： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 吳克鵬 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 接合 | ||
【權利要求書】：
1.一種陶瓷接合體，其具備：
第1碳化硅質陶瓷、
第2碳化硅質陶瓷、和
位于所述第1碳化硅質陶瓷與所述第2碳化硅質陶瓷之間的接合層，
所述接合層中，構成該接合層的全部成分100質量％中，含有金屬硅25質量％以上、碳化硅25質量％以上，且所述金屬硅和所述碳化硅總計含有75質量％以上，此外，含有鎳硅化物和鉻硅化物中的至少一種，
所述鎳硅化物和所述鉻硅化物的分散度為0.4以上且0.8以下。
2.根據權利要求1所述的陶瓷接合體，其中，在構成所述接合層的全部成分100質量％中，所述鎳硅化物和所述鉻硅化物的總含量以換算為NiSi2和CrSi2的值計為2質量％以上且18質量％以下。
3.根據權利要求1或2所述的陶瓷接合體，其中，所述接合層含有碳化硅粒子，該碳化硅粒子的分散度為0.3以上且0.9以下。
4.根據權利要求1或2所述的陶瓷接合體，其中，在所述接合層中，等效圓直徑為10μm以上的所述鎳硅化物和所述鉻硅化物所占的面積比率為7面積％以上且39面積％以下。
5.根據權利要求1或2所述的陶瓷接合體，其中，所述接合層的氣孔率為0.8％以下。
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