[發(fā)明專(zhuān)利]透鏡驅(qū)動(dòng)裝置以及包括該裝置的攝像機(jī)模塊和光學(xué)設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680055365.1
• 申請(qǐng)日: 2016-07-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108027491B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸相沃;閔相竣;劉庚皓;俞炫午
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02B7/09
• 分類(lèi)號(hào): G02B7/09;G02B7/08;G02B27/64;G02B7/02;G03B5/00;G03B3/10;G03B13/36;H02K41/035
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠(chéng);馬驍

1.一種透鏡移動(dòng)裝置，包括：

殼體，所述殼體包括上表面、下表面、內(nèi)周表面以及定位成與所述內(nèi)周表面相對(duì)的外周表面；

線圈架，其設(shè)置在所述殼體中；

第一線圈，其設(shè)置在所述線圈架的外周表面上；

第一磁體，其設(shè)置在所述殼體上；

第二磁體，其在所述殼體上被設(shè)置成與所述第一磁體間隔開(kāi)；以及

第一位置傳感器，其設(shè)置在所述線圈架的外周表面上，

其中，所述殼體包括第一部分和第二部分，所述第一部分設(shè)置在所述第二磁體與所述殼體的外周表面之間，所述第二部分設(shè)置在所述第二磁體與所述殼體的上表面之間；并且

其中，隨著溫度升高，所述殼體的所述第一部分膨脹。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，所述殼體包括第一磁體座，所述第二磁體設(shè)置在所述第一磁體座上，并且所述殼體的所述第一部分位于設(shè)置在所述第一磁體座上的所述第二磁體與所述殼體的外周表面之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，設(shè)置在所述第一磁體座上的所述第二磁體從所述殼體的內(nèi)周表面露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，所述第二磁體的側(cè)表面從所述殼體的內(nèi)周表面露出。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，所述殼體的所述第一部分的厚度大于所述殼體的所述第二部分的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，所述第一磁體座從所述殼體的內(nèi)周表面凹陷并且包括在所述殼體的內(nèi)周表面處開(kāi)放的開(kāi)口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透鏡移動(dòng)裝置，包括：

上彈性構(gòu)件，聯(lián)接至所述線圈架和所述殼體；

電路構(gòu)件，設(shè)置在所述殼體的下方，并且包括與所述第一磁體相對(duì)的第二線圈；

電路板，設(shè)置在所述電路構(gòu)件的下方；以及

支撐構(gòu)件，導(dǎo)電聯(lián)接至所述上彈性構(gòu)件及所述電路板。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，設(shè)置在所述第一磁體座上的所述第二磁體從所述殼體的上表面露出。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透鏡移動(dòng)裝置，還包括設(shè)置在所述第一磁體座與所述第二磁體之間的粘合構(gòu)件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，隨著所述溫度升高，及所述殼體的所述第一部分膨脹，所述第二磁體與所述第一位置傳感器之間的距離因此減小。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透鏡移動(dòng)裝置，其中，所述第一位置傳感器電連接至所述上彈性構(gòu)件。

12.一種透鏡移動(dòng)裝置，包括：

殼體，其包括腔和上表面、下表面、內(nèi)周表面以及定位成與所述內(nèi)周表面相對(duì)的外周表面；

線圈架，其設(shè)置在所述殼體的腔中；

第一線圈，其設(shè)置在所述線圈架的外周表面上；

第一磁體，其設(shè)置在所述殼體的第一側(cè)；

第二磁體，其設(shè)置在所述殼體的與所述第一側(cè)間隔開(kāi)的第二側(cè)使得所述第二磁體與所述第一磁體間隔開(kāi)；以及

第一位置傳感器，其設(shè)置在所述線圈架的外周表面上，

其中，第一曲線圖和第二曲線圖之間的交點(diǎn)位于xy坐標(biāo)系的第一象限中，其中，所述第一曲線圖是表示在第一溫度下與由第一位置傳感器檢測(cè)到的磁場(chǎng)的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的所述第一位置傳感器的輸出值的曲線圖，并且所述第二曲線圖是表示在第二溫度下與由所述第一位置傳感器檢測(cè)到的磁場(chǎng)的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的所述第一位置傳感器的輸出值的曲線圖；并且

其中，所述第一曲線圖和所述第二曲線圖中的每個(gè)中的x軸表示由所述第一位置傳感器檢測(cè)到的磁場(chǎng)的強(qiáng)度，并且所述第一曲線圖和所述第二曲線圖中的每個(gè)中的y軸表示所述第一位置傳感器的輸出值。