[發明專利]通過粘合劑轉移方法制備顏色轉換層在審
| 申請號: | 201680055105.4 | 申請日: | 2016-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN108076672A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | S·H·基姆;H·K·宗;J·柳德煥蘇;S·楊 | 申請(專利權)人: | 沙特基礎工業全球技術公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民;張全信 |
| 地址: | 荷蘭貝亨*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分層結構 磷光體材料 磷光體膜 復合 襯底 磷光體納米顆粒 顏色轉換層 粘合劑轉移 發光裝置 樹脂材料 微米顆粒 磷光體 制備 | ||
1.一種復合分層結構,其包括襯底和布置在所述襯底上的磷光體膜的一個或多個層,所述磷光體膜包括樹脂材料和磷光體材料,其中所述磷光體材料包括尺寸從1μm至10μm的磷光體微米顆粒和尺寸從10nm至900nm的磷光體納米顆粒。
2.根據權利要求1所述的復合分層結構,其中所述磷光體膜具有在92%至97%范圍內的表面堆積密度。
3.根據前述權利要求中的任一項所述的復合分層結構,其中所述磷光體微米顆粒和磷光體納米顆粒包括釔鋁氧化物石榴石磷光體。
4.根據前述權利要求中的任一項所述的復合分層結構,其中所述磷光體膜具有在20μm至40μm范圍內的厚度。
5.根據前述權利要求中的任一項所述的復合分層結構,其中所述磷光體膜的一個或多個層與所述襯底直接接觸。
6.根據前述權利要求中的任一項所述的復合分層結構,其中使用粘合劑轉移方法將所述磷光體膜的一個或多個層布置在所述襯底上。
7.根據權利要求6所述的復合分層結構,其中所述粘合劑轉移方法包括如下步驟:
(a)在支撐層上提供磷光體膜的層;
(b)通過在所述磷光體膜的層和所述襯底之間形成結合將所述磷光體膜的層轉移至所述襯底;和
(c)將所述支撐層與所述磷光體膜的層分離。
8.根據權利要求7的所述復合分層結構,其中轉移所述磷光體膜的層至所述襯底進一步包括將粘合劑材料沉積在所述襯底的表面或所述磷光體膜的層的表面上。
9.根據前述權利要求中的任一項所述的復合分層結構,其中順序地施加所述磷光體膜的一個或多個層。
10.根據前述權利要求中的任一項所述的復合分層結構,其中所述磷光體膜的一個或多個層包括布置在所述襯底的表面上的磷光體膜的第一層和布置在與所述襯底相對的所述磷光體膜的第一層上的磷光體膜的第二層。
11.根據權利要求10所述的復合分層結構,其中使用粘合劑轉移方法將所述磷光體膜的第一層布置在所述襯底上并且使用粘合劑轉移方法將所述磷光體膜的第二層布置在所述磷光體膜的第一層上。
12.根據權利要求11所述的復合分層結構,其中所述磷光體膜的第一層和所述磷光體膜的第二層每個具有21μm或更小的厚度和至少97%的堆積密度。
13.根據前述權利要求中的任一項所述的復合分層結構,進一步包括包含增白顆粒的一個或多個增白層,其中所述一個或多個增白層被布置在與所述襯底相對的所述磷光體膜的一個或多個層上并且被配置為在環境光下增白所述復合分層結構的外觀。
14.根據權利要求13所述的復合分層結構,其中所述增白顆粒包括金屬氧化物,其包括TiO
15.根據權利要求13-14所述的復合分層結構,其中所述一個或多個增白層包括尺寸從1μm至10μm的增白微米顆粒和尺寸從10nm至900nm的增白納米顆粒。
16.根據權利要求13-15所述的復合分層結構,其中使用粘合劑轉移方法將所述一個或多個增白層施加至所述磷光體膜的一個或多個層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





