[發(fā)明專利]膏狀組合物及硅鍺層的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680055095.4 | 申請日： | 2016-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN108028187B | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬爾萬·達(dá)姆林;鈴木紹太;菊地健;中原正博;森下直哉 | 申請（專利權(quán)）人： | 東洋鋁株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/208 | 分類號： | H01L21/208;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;謝順星 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 膏狀 組合 硅鍺層 形成 方法 | ||
1.一種膏狀組合物，其為用于形成硅鍺層的膏狀組合物，其特征在于，
含有鋁和鍺，所述鍺以鍺粉末的狀態(tài)存在，相對于所述鋁100質(zhì)量份，所述鍺的含量大于1質(zhì)量份、且為10000質(zhì)量份以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膏狀組合物，其進(jìn)一步含有樹脂成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膏狀組合物，其中，相對于所述鋁100質(zhì)量份，所述樹脂成分的含量為0.1～10質(zhì)量份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的膏狀組合物，其進(jìn)一步含有玻璃成分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的膏狀組合物，其中，相對于所述鋁100質(zhì)量份，所述玻璃成分的含量為0.01～3質(zhì)量份。
6.一種形成方法，其為硅鍺層的形成方法，其特征在于，具有：
(1)將膏狀組合物涂布于含硅基板上的工序1，該膏狀組合物含有鋁和鍺，所述鍺以鍺粉末的狀態(tài)存在，且相對于所述鋁100質(zhì)量份，所述鍺的含量大于1質(zhì)量份、且為10000質(zhì)量份以下；以及
(2)對涂布有所述膏狀組合物的含硅基板進(jìn)行燒結(jié)的工序2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成方法，其中，所述燒結(jié)于500～1000℃的溫度下進(jìn)行。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
