[發明專利]用于烴原料中存在的含氮化合物的吸附劑的再生方法在審
| 申請號: | 201680055027.8 | 申請日: | 2016-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN108136368A | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | S·卡雷廷;L·瑪藤斯;P·漢米爾頓;C·泰勒;M·詹森;E·德斯米特;J·德納耶;A·雷肯斯;M·斯米茨;M·威爾弗德 | 申請(專利權)人: | 埃克森美孚化學專利公司 |
| 主分類號: | B01J20/34 | 分類號: | B01J20/34;C07C7/13;C10G25/03;C10G25/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 楊立芳 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸附劑 惰性氣體 含氮化合物 烴原料 吸附劑冷卻 再生 | ||
用于烴原料中存在的含氮化合物的吸附劑的再生方法,包括使所述吸附劑與惰性氣體在10?60℃的溫度下接觸,接著使所述吸附劑與惰性氣體在200?260℃的高溫下接觸和在惰性氣體中將所述吸附劑冷卻。
技術領域
本發明涉及使用于烴原料(例如含輕質烯烴,即典型地,C3-C6烯烴,非必要地含二烯和環狀烯烴中的至少一種的原料)中存在的含氮化合物的吸附劑再生的方法,其中在多步程序例如三步程序中使用于從所述原料中除去含氮化合物(一種或多種)的吸附劑再生,所述多步程序包括使所述吸附劑與包含惰性氣體例如氮氣或飽和烴的料流在不同溫度下接觸。本發明還涉及將被至少一種含氮化合物污染的烴原料轉化成烴產物的方法,所述方法包括這里所限定的吸附劑的使用和再生。
背景技術
含輕質烯烴(即典型地,C3-C6烯烴)的烴原料用于催化低聚方法以獲得低聚物和/或聚合物,典型地,辛烯、壬烯和十二碳烯。這些產物可以轉化成其它產物例如醇、增塑劑、己二酸酯、硫醇和溶劑。
烴原料料流源自于各種來源,包括精煉廠操作例如催化裂化器和蒸汽裂化爐并已知含有某些量的雜質,包括但不限于含氮化合物例如腈。這些雜質可能對低聚方法中使用的催化劑例如基于磷酸的催化劑、基于沸石的催化劑和負載型金屬催化劑具有不利影響,即它們可能充當催化劑毒物(污染物),而降低催化劑的活性和使用壽命。
除去含氮污染物的現有技術途徑包括經由液-液萃取技術或經由使用所謂的保護床的吸附技術除去。
至于保護床的使用,現有技術中已經開發了許多途徑。例如,WO-A-2013/013885描述了將被腈化合物污染的烴原料,例如含輕質烯烴的原料轉化成烴產物的連續方法,所述方法包括以下步驟:在第一吸附器中,使含腈的烴原料與至少一種吸附劑接觸以從所述原料中除去腈;將具有降低的腈含量的所述原料轉化成烴產物;使含腈的烴原料從第一吸附器流到第二吸附器,并使所述含腈的烴原料與至少一種吸附劑在所述第二吸附器中接觸以從所述原料除去腈;和用所述烴產物的一部分使吸附在第一吸附器的至少一種吸附劑上的腈解吸。因此,WO-A-2013/013885的方法使用原料和工藝料流的特定吸附器布置和相關處理以實現用于轉化反應例如烯烴低聚的原料料流中腈的含量降低。在WO-A-2013/013885的發明背景部分中,據說可以在氮氣流動下或在不含腈污染物的烴的流動下通過加熱使廢保護床再生。
US-A-2008/0194902涉及如下純化二烯污染的液體料流和氣體料流:用包含具有某種硅與鋁之比的單或多重過渡金屬聚陽離子交換的八面沸石處理這些料流,其中所述過渡金屬聚陽離子具有通式[TrαOβ]n+,其中α為2-8,β為0-4,n為1-3,和其中所述過渡金屬優選選自銅、鎘、鋅、錳、鎳和鐵。在此上下文中,描述了吸附劑的再生程序,其中首先用己烯-1在環境溫度下和在與吸附期間相同的流速下沖洗所述吸附劑,接著使所述吸附劑床經受以100ml/min的速率和從環境溫度逐漸提升至180℃的溫度的氫氣流處理。
此外,當使用保護床除去基于氮的雜質例如腈時,存在于原料中的其它雜質可能不利地影響所述基于氮的雜質的有效除去。例如,二烯和/或環狀烯烴對保護床中用作吸附劑旨在除去基于氮的雜質的材料可能具有親合性。這將導致競爭吸附,從而降低保護床中所使用的給定吸附劑的吸附容量和運轉時間(run time)。另外,歸因于料流中存在的二烯(線性和環狀)在吸附及解吸過程中的反應的焦炭形成可能是個問題。
因此,仍需要允許有效除去基于氮的雜質和同時允許工藝和工藝材料例如用于所述氮污染物的吸附劑的運轉時間增加的其它方法。
發明內容
發明概述
根據第一個方面,本發明通過使用于烴原料中存在的含氮化合物的吸附劑再生的方法解決上述問題(一個或多個),所述方法包括以下步驟:
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