[發明專利]制冰盤的制造方法

在審

• 申請號: 201680054922.8
• 申請日: 2016-10-07
• 公開（公告）號: CN108027191A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 伊藤泰永;迫田正一;山吉知樹
• 申請（專利權）人: 株式會社UACJ
• 主分類號: F25C1/22
• 分類號: F25C1/22;F25C1/04
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 龔敏;王剛

1.一種制冰盤的制造方法，包括：

準備工序，準備基板，所述基板具備由鋁合金構成的芯材、和配設于該芯材的兩面的釬料層，該釬料層具有由將Mg含量限制為0.15％以下的鋁合金構成的第一層、和位于比該第一層靠所述芯材側并且由含有Mg：0.2％～5％的鋁合金構成的第二層，所述第一層及所述第二層的至少一者由還含有Si：4％～13％的釬焊片材構成；

組裝工序，在所述基板分別組裝間隔壁部件及流路形成部件，使得所述間隔壁部件與所述基板的一面抵接，并且所述流路形成部件與所述基板的另一面抵接，其中，所述間隔壁部件用于將多個制冰室區劃形成為格子狀，所述流路形成部件用于形成制冷劑所流通的制冷劑流路；以及

釬焊工序，不使用助焊劑而通過所述釬料層將所述間隔壁部件、所述流路形成部件及所述基板進行釬焊接合。

2.根據權利要求1所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述第一層將Mg含量限制為0.15％以下，并含有Si：4％～13％，且余部由Al及不可避免的雜質構成，

所述第二層含有Mg：0.2％～5％、Si：4％～13％，且余部由Al及不可避免的雜質構成。

3.根據權利要求2所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述第一層的包覆率為1.5％～20％，所述第二層的包覆率為1.5％～20％，且所述第一層的包覆率和所述第二層的包覆率的合計值為25％以下。

4.根據權利要求1所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述第一層將Mg含量限制為0.15％以下，且余部由Al及不可避免的雜質構成，

所述第二層含有Mg：0.2％～5％、Si：4％～13％，且余部由Al及不可避免的雜質構成。

5.根據權利要求4所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述第一層的包覆率為0.5％～2％，所述第二層的包覆率為2％～20％。

6.根據權利要求1所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述第一層將Mg含量限制為0.15％以下，并含有Si：4％～13％，且余部由Al及不可避免的雜質構成，

所述第二層含有Mg：0.2％～5％，且余部由Al及不可避免的雜質構成。

7.根據權利要求6所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述第一層的包覆率為2％～20％，所述第二層的包覆率為0.5％～4％。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述第一層及所述第二層的至少一者還含有Bi：0.004％～0.4％。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述間隔壁部件及所述流路形成部件由鋁合金構成。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述間隔壁部件中的、形成所述多個制冰室的外壁的外側間隔壁部通過芯材和釬焊片材構成，所述芯材由鋁合金構成，所述釬焊片材通過在該芯材的至少一個面上形成所述釬料層而成。

11.根據權利要求10所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述外側間隔壁部通過僅在與所述制冰室對置的面的相反側的面上形成所述釬料層而成的釬焊片材構成。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的制冰盤的制造方法，其中，

所述芯材由6000系的鋁合金構成。