[發(fā)明專利]流體殺菌裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680054780.5 | 申請日: | 2016-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN108136058B | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 小永吉英典;鳥井信宏;越智鐵美;木內(nèi)裕紀(jì) | 申請(專利權(quán))人: | 日機裝株式會社 |
| 主分類號: | A61L2/10 | 分類號: | A61L2/10;C02F1/32 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立;應(yīng)風(fēng)曄 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 流體 殺菌 裝置 | ||
1.一種流體殺菌裝置,其特征在于,包括:
光源,其具有射出紫外線的半導(dǎo)體發(fā)光元件,
殼體,其形成供作為殺菌對象的流體通過的流路,
受光部,其接收從上述光源射出的紫外線的一部分,并檢測接收到的紫外線的光量,以及
控制部,其基于從上述受光部取得的紫外線的光量的信息來控制上述半導(dǎo)體發(fā)光元件的輸出;
上述殼體具有供紫外線入射的入射部、以及在內(nèi)表面反射紫外線的反射部;
上述反射部由使紫外線的一部分透射的材料構(gòu)成;上述反射部由波長為285nm的紫外線的漫反射率在78.5~95.4%的范圍內(nèi)、且波長為285nm的紫外線的漫透射率在0.6~13.1%的范圍內(nèi)的材料構(gòu)成;
上述受光部被設(shè)置在能夠接收到透過所述反射部的一部分紫外線的位置上。
2.如權(quán)利要求1所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述受光部被配置在夾著上述反射部地與上述入射部相反側(cè)的區(qū)域中。
3.如權(quán)利要求1~2的任何一項所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述反射部為部分地具有非晶質(zhì)晶體構(gòu)造的聚四氟乙烯PTFE。
4.如權(quán)利要求1~2的任何一項所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述反射部的厚度在1~20mm的范圍內(nèi)。
5.如權(quán)利要求3所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述反射部的厚度在1~20mm的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1-2的任何一項所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出峰值發(fā)光波長在250nm~350nm的范圍內(nèi)的紫外線。
7.如權(quán)利要求3所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出峰值發(fā)光波長在250nm~350nm的范圍內(nèi)的紫外線。
8.如權(quán)利要求4所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出峰值發(fā)光波長在250nm~350nm的范圍內(nèi)的紫外線。
9.如權(quán)利要求5所述的流體殺菌裝置,其特征在于,上述半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出峰值發(fā)光波長在250nm~350nm的范圍內(nèi)的紫外線。
10.如權(quán)利要求1~2的任何一項所述的流體殺菌裝置,其特征在于,
上述殼體具有:
筒狀的殺菌室,其具有上述反射部,以及
流體的流入口及流體的流出口,其被設(shè)置在相對于上述殺菌室的長度方向交叉的方向上;
上述光源被配置在上述殺菌室的長度方向的兩端中的至少一者的外側(cè);
上述入射部被設(shè)置在上述光源與上述殺菌室之間。
11.如權(quán)利要求3所述的流體殺菌裝置,其特征在于,
上述殼體具有:
筒狀的殺菌室,其具有上述反射部,以及
流體的流入口及流體的流出口,其被設(shè)置在相對于上述殺菌室的長度方向交叉的方向上;
上述光源被配置在上述殺菌室的長度方向的兩端中的至少一者的外側(cè);
上述入射部被設(shè)置在上述光源與上述殺菌室之間。
12.如權(quán)利要求4所述的流體殺菌裝置,其特征在于,
上述殼體具有:
筒狀的殺菌室,其具有上述反射部,以及
流體的流入口及流體的流出口,其被設(shè)置在相對于上述殺菌室的長度方向交叉的方向上;
上述光源被配置在上述殺菌室的長度方向的兩端中的至少一者的外側(cè);
上述入射部被設(shè)置在上述光源與上述殺菌室之間。
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