[發明專利]粘結接合結構有效
| 申請號: | 201680054775.4 | 申請日: | 2016-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN108028206B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 上郡山洋一;山內真一 | 申請(專利權)人: | 三井金屬礦業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;B22F7/08 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳建全 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘結 接合 結構 | ||
1.一種粘結接合結構,其是將作為發熱體的半導體元件的芯片和金屬的支撐體經由由銅粉的燒結體形成的接合部位來接合而成的粘結接合結構,其中,所述支撐體至少在其最表面存在有銅,以跨越所述支撐體與所述燒結體的接合界面的方式形成有該支撐體的銅與該燒結體的銅的相互擴散部位,在所述相互擴散部位以跨越所述接合界面的方式形成有晶體取向為同方向的銅的晶體結構。
2.根據權利要求1所述的粘結接合結構,其中,晶體取向為同方向的銅的所述晶體結構在所述接合界面處的橫截長度為10nm以上。
3.一種粘結接合結構,其是將作為發熱體的半導體元件的芯片和金屬的支撐體經由由銅粉的燒結體形成的接合部位來接合而成的粘結接合結構,其中,所述支撐體至少在其最表面存在有金,以跨越所述支撐體與所述燒結體的接合界面的方式形成有該支撐體的金與該燒結體的銅的相互擴散部位,其中,所述相互擴散部位包含Cu3Au。
4.根據權利要求3所述的粘結接合結構,其中,所述相互擴散部位包含Cu3Au、以及金和銅的固溶體。
5.一種粘結接合結構,其是將作為發熱體的半導體元件的芯片和金屬的支撐體經由由銅粉的燒結體形成的接合部位來接合而成的粘結接合結構,其中,所述支撐體至少在其最表面存在有銅或金,以跨越所述支撐體與所述燒結體的接合界面的方式形成有該支撐體的銅或金與該燒結體的銅的相互擴散部位,其中,在所述芯片的下表面形成有金的層,以跨越所述芯片與所述燒結體的接合界面的方式形成有金與該燒結體的銅的相互擴散部位,所述相互擴散部位包含Cu3Au。
6.根據權利要求5所述的粘結接合結構,其中,所述相互擴散部位包含Cu3Au、以及金和銅的固溶體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





