[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及形成其的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680054722.2
• 申請(qǐng)日: 2016-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108028245A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林葉;陳全勝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南洋理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522;H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種半導(dǎo)體器件，包括具有貫穿襯底通孔的襯底，所述貫穿襯底通孔在其中形成有：

第一電容器電極層和第二電容器電極層，和設(shè)置于第一電容器電極層和第二電容器電極層之間的介電材料層；以及

貫穿襯底通孔導(dǎo)體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述貫穿襯底通孔已經(jīng)由形成在襯底第一側(cè)的溝槽形成，貫穿襯底通孔導(dǎo)體包括通孔導(dǎo)電芯；第一電容器電極層、介電材料層和第二電容器電極層已經(jīng)形成在溝槽中，并且其中，第二電容器電極層圍繞通孔導(dǎo)電芯。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，第一電容器電極層、介電材料層和第二電容器電極層基本上設(shè)置為圍繞通孔導(dǎo)電芯的同心層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，包括設(shè)置在溝槽內(nèi)表面上的第一絕緣層，設(shè)置在所述絕緣層上的第一電容器電極層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，包括設(shè)置在所述第二電容器電極層上的第二絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在所述第二絕緣層上的阻擋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，所述阻擋層已經(jīng)形成為使溝槽處于未填滿狀態(tài)，所述通孔導(dǎo)電芯已經(jīng)通過(guò)用導(dǎo)電材料填充溝槽來(lái)形成，以及所述貫穿襯底通孔已經(jīng)通過(guò)平面化襯底的第二側(cè)以暴露在此處的通孔導(dǎo)電芯的導(dǎo)電材料來(lái)形成。

8.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述半導(dǎo)體器件包括貫穿襯底通孔，所述方法包括在所述貫穿襯底通孔中形成：

第一電容器電極層和第二電容器電極層，和設(shè)置于第一電容器電極層和第二電容器電極層之間的介電材料層；以及

貫穿襯底通孔導(dǎo)體。