[發明專利]生成氫氣和氧氣的系統和方法

有效

• 申請號: 201680054643.1
• 申請日: 2016-03-12
• 公開（公告）號: CN108138338B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 唐李·漢森
• 申請（專利權）人: 唐李·漢森
• 主分類號: C25B1/04
• 分類號: C25B1/04;C25B9/17;C25B9/70
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;張默

1.一種采用電解來生成氧和氫的系統，所述系統包括：

容器，其中，所述容器填充有添加了氫氧化鉀和合成藍色金剛石材料的水；

多個非導電環；

電解質溶液，其中，所述電解質溶液是添加了生物固體的純水；

多個盤，其中，所述多個盤包括多個正極盤、多個負極盤和多個中性盤，并且其中，所述多個盤以預設順序配置，使得順序以正極盤或負極盤開始和結束，并且其中，所述多個盤由波紋金屬或非金屬制成，并且其中，所述多個盤包括多個具有孔的盤、多個具有長縫隙的盤和多個圓頂形盤，其中，所述多個具有孔的盤用作正極盤，并且其中所述多個具有長縫隙的盤用作負極盤和中性盤，并且其中，所述多個圓頂形盤用作正或負或中性盤，并且其中，所述多個圓頂形盤以凹狀和凸狀布置，并且其中，所述多個盤用防腐蝕材料涂覆，并且其中，所述防腐蝕材料以兩層涂覆，并且其中，所述多個正極盤和所述多個負極盤用第一層的海鹽材料和第二層的石墨或碳納米管涂覆，并且其中，在所述多個正極盤和所述多個負極盤上涂覆所述第一層的海鹽材料，然后在所述多個正極盤和所述多個負極盤上涂覆所述第二層的石墨或碳納米管；

正極框架；

負極框架；以及

多個非導電塑料框架；

其中，所述正極框架、所述負極框架和所述多個非導電塑料框架配置為圍繞所述多個盤的外圍邊緣部，其中，所述正極框架和所述負極框架設有凹部，并且其中，所述正極盤和所述負極盤設有用于將所述正極盤和所述負極盤與所述正極框架和所述負極框架的所述凹部分別扣緊的多個鉤狀結構。

2.根據權利要求1所述的系統，其中，所述金屬選自由銅鎳合金、316L不銹鋼、347L不銹鋼和混合金屬氧化物(MMO)涂層金屬盤組成的組，并且其中所述金屬是銅鎳合金，并且其中銅鎳合金盤包含以70:30的重量比混合的銅和鎳。

3.根據權利要求1所述的系統，其中，所述非金屬選自由精細顆粒石墨、石墨烯、碳納米管或納米碳帶、MMO涂層金屬、摻雜硼的合成藍色金剛石、合成多晶金剛石(PCD)和多晶化學氣相沉積(CVD)金剛石組成的組。

4.根據權利要求1所述的系統，其中，所述多個非導電塑料框架是高密度聚乙烯(HDPE)框架，并且所述多個非導電環是HDPE環。

5.根據權利要求1所述的系統，其中，所述預設順序選自第一順序或第二順序或第三順序，其中，所述第一順序由[+NNNN-NNNN+NNNN-NNNN+]表示，并且其中，所述第二順序由[-NNNN+NNNN-]表示，并且其中，所述第三順序由{[-D_VD_X D_VD_X+D_VD_X D_VD_X-]或[+D_VD_X D_VD_X-D_VD_XD_VD_X+]或[+NNNN+]}表示，并且其中，+表示正極盤，-表示負極盤，N表示中性盤，D_V表示凹圓頂形盤，D_X表示凸圓頂形盤。

6.根據權利要求1所述的系統，其中，所述正極框架設有多個凹部以保持和支撐所述多個正極盤。

7.根據權利要求1所述的系統，其中，所述負極框架設有多個凹部以保持和支撐所述多個負極盤。

8.根據權利要求1所述的系統，其中，所述多個非導電塑料框架設有多個凹部以保持和支撐所述多個中性盤或多個圓頂形盤。

9.根據權利要求1所述的系統，其中，除了被配置以支撐和保持所述正極盤和所述負極盤的凹部區域之外，所述正極框架和所述負極框架被HDPE涂層覆蓋。