[發明專利]攝像元件及攝像裝置

在審

• 申請號: 201680054613.0
• 申請日: 2016-09-26
• 公開（公告）號: CN108040502A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 高木徹;中山智史;安藤良次;瀨尾崇志;松岡洋平;渡邊佳之
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/14;H01L31/0232;H04N5/369;H04N5/374
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;王娟娟

攝像元件具備：光電轉換部，其對透射過微透鏡而入射的光進行光電轉換，生成電荷；蓄存部，其對由光電轉換部生成的電荷進行蓄存；以及傳輸部，其將由光電轉換部生成的電荷傳輸至蓄存部，光電轉換部、傳輸部和蓄存部沿著微透鏡的光軸方向設置。

技術領域

本發明涉及攝像元件及攝像裝置。

背景技術

專利文獻1的公報中公開了下述的固態成像元件。

在半導體襯底上設有包含光電轉換部及信號掃描電路部并配置像素矩陣而成的攝像區域。攝像區域包括：元件分離絕緣膜，其以與相鄰的像素之間的邊界部分對應并包圍各像素的方式設置；MOSFET，其設置在半導體襯底的表面上且在元件分離絕緣膜的下方區域；以及第1導電型的第1擴散層，其設置在半導體襯底內的元件分離絕緣膜的附近區域。元件分離絕緣膜以自形成有信號掃描電路部的半導體襯底的表面偏離的方式設置在半導體襯底中，且到達半導體襯底的背面。MOSFET包括柵極電極和形成在半導體襯底內且在柵極電極上方的第1導電型的第2擴散層。第1擴散層與第2擴散層接觸，在半導體襯底的垂直方向上第1擴散層的沿著與垂直方向正交的第1方向的寬度的中心位于第2擴散層的沿著第1方向的寬度的中心附近。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利5547260號

發明內容

近年來要求多像素化的固態成像元件。但是，以往的固態成像元件由于將第1擴散層和第2擴散層沿著半導體襯底的表面配置，因此如果多像素化則受光面積變小。如果受光面積變小，則通過光電轉換產生的電荷量減少、可能導致靈敏度變差。

本發明第1技術方案的攝像元件包括：光電轉換部，其對透射過微透鏡而入射的光進行光電轉換，生成電荷；蓄存部，其對由所述光電轉換部生成的電荷進行蓄存；以及傳輸部，其將由所述光電轉換部生成的電荷傳輸至所述蓄存部。所述光電轉換部、所述傳輸部和所述蓄存部沿著所述微透鏡的光軸方向設置。

本發明第2技術方案的攝像元件具有與微透鏡的光軸相交叉的第1面和第2面，且在所述第1面與所述第2面之間包括：光電轉換部，其對透射過所述微透鏡而入射的光進行光電轉換，生成電荷；蓄存部，其對由所述光電轉換部生成的電荷進行蓄存；以及傳輸部，其將由所述光電轉換部生成的電荷傳輸至所述蓄存部。在所述微透鏡的光軸方向上，所述光電轉換部設置于所述第1面側，所述蓄存部設置于所述第2面側，所述傳輸部設置于所述光電轉換部和所述蓄存部之間。

本發明第3技術方案的攝像裝置具有攝像元件和基于從攝像元件輸出的信號生成圖像數據的生成部。攝像元件包括：光電轉換部，其對透射過微透鏡而入射的光進行光電轉換，生成電荷；蓄存部，其對由所述光電轉換部生成的電荷進行蓄存；以及傳輸部，其將由所述光電轉換部生成的電荷傳輸至所述蓄存部。所述光電轉換部、所述傳輸部和所述蓄存部沿著所述微透鏡的光軸方向設置。

本發明第4技術方案的攝像裝置具有攝像元件和基于從攝像元件輸出的信號生成圖像數據的生成部。攝像元件具有與微透鏡的光軸相交叉的第1面和第2面，且在所述第1面與所述第2面之間包括：光電轉換部，其對透射過所述微透鏡而入射的光進行光電轉換，生成電荷；蓄存部，其對由所述光電轉換部生成的電荷進行蓄存；以及傳輸部，其將由所述光電轉換部生成的電荷傳輸至所述蓄存部。在所述微透鏡的光軸方向上，所述光電轉換部設置于所述第1面側，所述蓄存部設置于所述第2面側，所述傳輸部設置于所述光電轉換部和所述蓄存部之間。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的固態成像元件100的概略構成圖。

圖2是表示第1實施方式的像素20的等價電路的圖。

圖3是第1實施方式的像素20的剖視圖。