[發明專利]可規劃的沉積裝置有效
| 申請號: | 201680054585.2 | 申請日: | 2016-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN108026640B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發明(設計)人: | 彼得·簡·德洛吉;恩斯特·杜勒梅吉爾;愛德華·雷尼爾·弗朗西斯卡·克萊科斯 | 申請(專利權)人: | 巴斯夫涂料有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 彭立兵;林柏楠 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 規劃 沉積 裝置 | ||
1.沉積裝置,包括:
框架;
圓柱狀卷筒,其具有圍繞中心軸延伸的圓柱狀表面和垂直于所述中心軸延伸的第一端部表面和第二端部表面,所述圓柱狀卷筒可旋轉地安裝于所述框架中,所述圓柱狀卷筒包括:
第一多個通道和任選的第二多個通道,其在所述圓柱狀卷筒內延伸,所述通道的進口可連接至氣體源或排氣裝置;
多個氣體區域,其位于所述圓柱狀表面上,其中所述多個氣體區域中的至少一些與所述第一多個通道和任選的第二多個通道中的至少兩個通道氣體連接;
所述沉積裝置還包括:閉合組件,其用于封閉除所述第一多個通道和任選的第二多個通道中的所述至少兩個通道之一以外的全部,所述多個氣體區域中的所述一些中的所述氣體區域與所述第一多個通道和任選的第二多個通道中的所述至少兩個通道之一氣體連接,其中通過由所述閉合組件選擇性封閉除用于所述多個氣體區域的各個氣體區域的通道之一以外的全部,所述氣體區域的功能選擇性設置為氣體排出區域,或者替代地為氣體供應區,在所述氣體供應區中還選擇性設置供應的氣體的類型,以便沉積的次序和沉積層堆棧的組成物是可規劃的。
2.如權利要求1所述的沉積裝置,其中所述第一多個通道在所述圓柱狀卷筒內從所述第一端部表面延伸至所述多個氣體區域中的相對應的氣體區域,其中所述第一多個通道的各個通道在所述第一端部表面中形成第一開口,并且其中所述沉積裝置包括:
第一密封板,其具有第一密封側和與所述第一密封側相對的第一連接側,其中所述第一密封板包括:
第一氣體連接開口,其在所述第一連接側中,氣體供應線和/或氣體排出線可連接至所述第一氣體連接開口;
至少一些第一環通道,其在所述第一密封側中沿第一環狀區段延伸,其中所述第一環狀區段的中點與所述圓柱狀卷筒的所述中心軸重合,其中所述第一環通道的各個環通道流體連接至相對應的第一氣體連接開口,其中所述第一環通道的各個環通道與所述第一端部表面中的至少一個第一開口氣體連接;
其中所述多個氣體區域中的至少一些與所述第一多個通道中的至少兩個通道氣體連接,所述沉積裝置包括閉合組件以用于封閉除所述第一多個通道中的至少兩個通道之一以外的全部,所述多個氣體區域中的所述一些中的所述氣體區域與所述至少兩個通道之一氣體連接。
3.如權利要求2所述的沉積裝置,其中所述第一密封板為從密封位置和遠程位置可移動的,在所述密封位置上,所述第一密封側抵靠所述第一端部表面定位,且在所述遠程位置上,所述第一密封板遠離所述第一端部表面移動。
4.如權利要求2所述的沉積裝置,其中所述第二多個通道在所述圓柱狀卷筒內從所述第二端部表面延伸至所述多個氣體區域中的相對應的氣體區域,其中所述第二多個通道的各個通道在所述第二端部表面中形成第二開口,且其中所述沉積裝置包含:
第二密封板,其具有第二密封側及與所述第二密封側相對的第二連接側,其中所述第二密封板包括:
第二氣體連接開口,其位于所述第二連接側中,其中氣體供應線和/或氣體排出線可連接至所述第二氣體連接開口;
至少一些第二環通道,其在所述第二密封側中沿第二環狀區段延伸,其中所述第二環狀區段的中點與所述圓柱狀卷筒的所述中心軸重合,其中所述第二環通道的各個環通道流體連接至相對應的第二氣體連接開口,其中所述第二環通道的各個環通道與所述第二端部表面中的至少一個第二開口氣體連接;
其中所述多個氣體區域中的至少一些與所述第一多個通道和/或所述第二多個通道中的至少兩個通道氣體連接,所述沉積裝置包括閉合組件以用于封閉除所述第一多個通道和/或所述第二多個通道中的所述至少兩個通道之一以外的全部,所述多個氣體區域中的所述一些中的所述氣體區域與所述第一多個通道和/或所述第二多個通道中的所述至少兩個通道之一氣體連接。
5.如權利要求4所述的沉積裝置,其中所述第二密封板為從密封位置及遠程位置可移動的,在所述密封位置上,所述第二密封側抵靠所述第二端部表面定位,且在所述遠程位置上,所述第二密封板遠離所述第二端部表面移動。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





