[發(fā)明專利]小熱質(zhì)量的加壓腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680054443.6 | 申請日: | 2016-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN108140542B | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅曼·古科;陳翰文;史蒂文·韋爾韋貝克;簡·德爾馬斯 | 申請(專利權(quán))人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 質(zhì)量 加壓 | ||
1.一種基板處理設(shè)備,包括:
腔室主體,所述腔室主體界定用于在提高的壓力下進行操作的處理容積,其中所述腔室主體包括:
襯墊,所述襯墊設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)并相鄰于所述處理容積;和
隔離元件,所述隔離元件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)并相鄰于所述襯墊,其中所述隔離元件具有與所述腔室主體和所述襯墊的熱膨脹系數(shù)相似的熱膨脹系數(shù),并且其中所述隔離元件圍繞所述襯墊以通過將所述襯墊與所述腔室主體隔離來減低所述襯墊的熱質(zhì)量;
基板支撐件,所述基板支撐件設(shè)置于所述處理容積內(nèi);和
擋板,所述擋板設(shè)置于所述處理容積內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述襯墊具有相對于所述腔室主體的小熱質(zhì)量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述基板支撐件經(jīng)構(gòu)造以移動進入所述處理容積和移動離開所述處理容積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中所述基板支撐件耦接至加熱元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述擋板耦接至致動器以在所述處理容積內(nèi)移動所述擋板,且所述致動器經(jīng)構(gòu)造以升高和降低所述擋板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述擋板由從以下材料組成的群組中選擇的材料形成:不銹鋼、鋁、陶瓷材料、和石英材料。
7.一種基板處理設(shè)備,包括:
平臺,所述平臺具有傳輸腔室和耦接于所述平臺上的處理腔室,所述處理腔室以傾斜角度相對于所述傳輸腔室而設(shè)置,其中所述處理腔室包括:
腔室主體,所述腔室主體界定處理容積,所述處理容積經(jīng)構(gòu)造以在提高的壓力下進行操作,其中所述腔室主體包括:
襯墊,所述襯墊設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)并相鄰于所述處理容積;和
隔離元件,所述隔離元件設(shè)置于所述腔室主體內(nèi)并相鄰于所述襯墊,其中所述隔離元件具有與所述腔室主體和所述襯墊的熱膨脹系數(shù)相似的熱膨脹系數(shù),并且其中所述隔離元件圍繞所述襯墊以通過將所述襯墊與所述腔室主體隔離來減低所述襯墊的熱質(zhì)量;
基板支撐件,所述基板支撐件設(shè)置于所述處理容積內(nèi);和
擋板,所述擋板設(shè)置于所述處理容積內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其中所述襯墊具有相對于所述腔室主體的小熱質(zhì)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其中所述基板支撐件經(jīng)構(gòu)造以移動進入所述處理容積和移動離開所述處理容積。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述基板支撐件耦接至加熱元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其中所述擋板耦接至致動器,所述致動器經(jīng)構(gòu)造以在所述處理容積內(nèi)移動所述擋板,且所述致動器經(jīng)構(gòu)造以升高和降低所述擋板。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其中所述擋板由從以下材料組成的群組中選擇的材料制成:不銹鋼、鋁、陶瓷材料、和石英材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,其中所述傾斜角度介于10°和90°之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





