[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680054020.4 | 申請日: | 2016-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN108028192B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 江本哲也;永德篤郎;巖田智巳;瀧昭彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋曉寶 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,使用處理液處理被保持為水平姿勢的基板,其中,
所述基板處理方法包括置換工序,在該置換工序中,將附著于所述基板的上表面的處理液置換為表面張力低于該處理液的表面張力的低表面張力液體,
所述置換工序包括:
中央部噴出工序,通過從配置于所述基板的上方的第一低表面張力液體噴嘴向所述基板的上表面中央部噴出所述低表面張力液體,形成覆蓋所述基板的整個所述上表面的所述低表面張力液體的液膜;
非活性氣體供給工序,與所述中央部噴出工序并行執(zhí)行,為了形成沿所述上表面流動的氣流,向所述基板的上方供給非活性氣體;以及
液滴噴出工序,與所述中央部噴出工序及所述非活性氣體供給工序并行執(zhí)行,從配置于所述基板的上方的第二低表面張力液體噴嘴向被所述低表面張力液體的所述液膜覆蓋的上表面周緣部噴出所述低表面張力液體的液滴,
所述非活性氣體供給工序包括如下工序:與來自所述第一低表面張力液體噴嘴的所述低表面張力液體的噴出以及來自所述第二低表面張力液體噴嘴的所述低表面張力液體的所述液滴的噴出并行執(zhí)行,向所述基板的上方供給所述非活性氣體。
2.如權利要求1所述的基板處理方法,其中,
所述液滴噴出工序包括噴出通過使所述低表面張力液體與氣體混合而生成的所述低表面張力液體的液滴的工序。
3.如權利要求1所述的基板處理方法,其中,
所述液滴噴出工序包括從多個噴射口噴射所述低表面張力液體的液滴的工序。
4.如權利要求1至3中任一項所述的基板處理方法,其中,
所述基板處理方法還包括供給區(qū)域移動工序,該供給區(qū)域移動工序與所述液滴噴出工序并行執(zhí)行,在該供給區(qū)域移動工序中,使所述上表面上的所述低表面張力液體的所述液滴的供給區(qū)域在所述上表面周緣部移動。
5.一種基板處理裝置,用于使用處理液處理基板,其中,
所述基板處理裝置包括:
基板保持單元,將所述基板保持為水平姿勢;
第一低表面張力液體噴嘴,配置于所述基板的上方,用于向所述基板的上表面中央部噴出表面張力低于所述處理液的表面張力的低表面張力液體;
第一低表面張力液體供給機構,向所述第一低表面張力液體噴嘴供給所述低表面張力液體;
非活性氣體供給單元,向所述基板的上方供給非活性氣體;
第二低表面張力液體噴嘴,配置于所述基板的上方,用于向所述基板的上表面周緣部噴出所述低表面張力液體;以及
第二低表面張力液體供給機構,向所述第二低表面張力液體噴嘴供給所述低表面張力液體,
所述基板處理裝置還包括控制裝置,該控制裝置控制所述第一低表面張力液體供給機構、所述第二低表面張力液體供給機構以及所述非活性氣體供給單元,并執(zhí)行如下工序:中央部噴出工序,通過從所述第一低表面張力液體噴嘴向所述上表面中央部噴出所述低表面張力液體,形成覆蓋所述基板的整個上表面所述低表面張力液體的液膜;非活性氣體供給工序,與所述中央部噴出工序并行執(zhí)行,為了形成沿所述上表面流動的氣流,向所述基板的上方供給所述非活性氣體;以及液滴噴出工序,與所述中央部噴出工序及所述非活性氣體供給工序并行執(zhí)行,從配置于所述基板的上方的所述第二低表面張力液體噴嘴向被所述低表面張力液體的所述液膜覆蓋的所述上表面周緣部噴出所述低表面張力液體的液滴,
所述非活性氣體供給工序包括如下工序:與來自所述第一低表面張力液體噴嘴的所述低表面張力液體的噴出以及來自所述第二低表面張力液體噴嘴的所述低表面張力液體的所述液滴的噴出并行執(zhí)行,向所述基板的上方供給所述非活性氣體。
6.如權利要求5所述的基板處理裝置,其中,
所述控制裝置在所述液滴噴出工序中執(zhí)行噴出通過使所述低表面張力液體與氣體混合而生成的所述低表面張力液體的液滴的工序。
7.如權利要求5所述的基板處理裝置,其中,
所述控制裝置在所述液滴噴出工序中執(zhí)行從多個噴射口噴射所述低表面張力液體的液滴的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





