[發明專利]用于存儲器的字線相關的溝道預充電

有效

• 申請號: 201680053936.8
• 申請日: 2016-09-12
• 公開（公告）號: CN108028070B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 龐亮;J.袁;董穎達
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種存儲器器件，包括：

多個NAND串(NS1、NS2、NS0_SBa、NS0_SBb、NS0_SBc、NS0_SBd)，所述多個NAND串包括所選擇的NAND串和未選擇的NAND串，其中：

所述所選擇的NAND串包括多個存儲器單元(300、333、……、334和335；400、433、……、434和435)，所述多個存儲器單元包含所選擇的存儲器單元(921)和未選擇的存儲器單元；

所述未選擇的NAND串包括多個存儲器單元，所述多個存儲器單元包含對應于所述所選擇的存儲器單元(921)的未選擇的存儲器單元(961)和其余的未選擇的存儲器單元；

所述多個NAND串中的每個NAND串包括相應的溝道(406、665)、漏極側選擇柵極晶體管(680、681、817、818、837、838、857、858、877、878、901、941、902、942)，以及第一虛設存儲器單元(815、835、855、875、904、944)；

所述第一虛設存儲器單元在所述漏極側選擇柵極晶體管與所述多個存儲器單元中的漏極端存儲器單元(814、834、854、874、905、945)之間；

所述多個NAND串中的每個NAND串連接到多個位線(BL0、BL0A、BL0A-1)中的相應的位線；

所述所選擇的存儲器單元和對應于所述所選擇的存儲器單元的所述未選擇的存儲器單元連接到多個字線(WL0-WL22)之中的所選擇的字線；并且

所述所選擇的NAND串的未選擇的存儲器單元和所述未選擇的NAND串的其余的未選擇的存儲器單元連接到所述多個字線之中的未選擇的字線；以及

控制電路(110、112、114、116、122、128、132)，對于所述未選擇的NAND串，所述控制電路配置為在編程操作中將編程電壓施加到所選擇的字線之前進行預充電操作，其中為了進行所述預充電操作，所述控制電路配置為同時地將正預充電電壓施加到所述未選擇的NAND串的相應的位線并將電壓施加到所述第一虛設存儲器單元，其中施加到所述第一虛設存儲器單元的電壓的電平(WLd1)是所選擇的字線與所述第一虛設存儲器單元之間的距離的函數，使得當所述距離更大時，所述電平更高，在所述編程操作期間，無論所述距離如何，所述控制電路都具有施加到所述第一虛設存儲器單元的電壓的高電平。

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中：

根據所述距離的函數，所述控制電路配置為，當所述所選擇的字線在所述多個字線中的第一組字線(WL0-WLy-1)之中時，將施加到所述第一虛設存儲器單元的所述電壓的電平提供為第一值，并且當所述所選擇的字線在所述多個字線中的第二組字線(WLy-WLds)之中時，將施加到所述第一虛設存儲器單元的所述電壓的電平提供為第二值，所述第二值小于所述第一值；

所述第一組字線包括所述多個字線的50-80％；并且

所述第二組字線包括所述多個字線中的其余部分。

3.根據權利要求2所述的存儲器器件，其中：

所述控制電路配置為在所述第一組(WL0-WLy-1)與所述第二組(WLy-WLds)之間的邊界處限定作為溫度的函數的切換字線(WLswitch)；并且

當所述溫度相對較低時，所述切換字線相對較接近于所述漏極側選擇柵極晶體管。

4.根據權利要求1所述的存儲器器件，其中：

根據所述距離的函數，所述控制電路配置為，當所述所選擇的字線在所述多個字線中的第一組字線之中時，將施加到所述第一虛設存儲器單元的所述電壓的電平提供為第一值，并且當所述所選擇的字線在所述多個字線中的第二組字線之中時，將施加到所述第一虛設存儲器單元的所述電壓的電平提供為第二值，所述第二值小于所述第一值；并且

所述第一組中的所選擇的字線與所述第一虛設存儲器單元之間的距離大于所述第二組中的所選擇的字線與所述第一虛設存儲器單元之間的距離。