[發明專利]用于制造輻射探測器的方法和輻射探測器有效
| 申請號: | 201680053905.2 | 申請日: | 2016-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN108028263B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | H·利夫卡;J·M·E·貝肯;R·庫霍恩;P·A·范哈爾;H·K·維喬雷克;H·胡梅爾;C·R·龍達;M·西蒙 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/30 | 分類號: | H01L27/30;G01T1/20 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;劉炳勝 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 輻射 探測器 方法 | ||
1.一種用于制造用于電離輻射的輻射探測器的方法,所述輻射探測器在探測器層(4、14、24)中包括作為直接轉換材料和/或作為閃爍體材料的第一無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料,所述方法包括:
提供包括與所述第一無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料不同的第二無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料的引晶層(3、13、23)的引晶步驟(101),以及
通過從所述引晶層(3、13、23)上的溶液生長所述第一無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料來形成所述探測器層(4、14、24)的層生長步驟(102)。
2.根據權利要求1所述的方法,
其中,所述第一無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料和所述第二無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料由甲基銨金屬鹵化物和/或甲脒金屬鹵化物組成或包括甲基銨金屬鹵化物和/或甲脒金屬鹵化物。
3.根據權利要求2所述的方法,
其中,所述金屬鹵化物是鉛鹵化物或錫鹵化物。
4.根據權利要求3所述的方法,
其中,所述第一無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料由碘化物組成或包括碘化物,并且所述第二無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料由溴化物組成或包括溴化物。
5.根據權利要求4所述的方法,
其中,所述溶液是金屬乙酸鹽/碘化氫溶液與甲胺/碘化氫溶液的混合物。
6.根據權利要求1所述的方法,
其中,在所述層生長步驟(102)中,在所述探測器層(14)中包括(103)發光材料。
7.根據權利要求6所述的方法,
其中,所述發光材料包括發光量子點和/或磷光體顆粒。
8.根據權利要求1所述的方法,
其中,所述層生長步驟(102)被提供為使得所述探測器層具有10μm或更大的厚度。
9.根據權利要求1所述的方法,
還包括在所述探測器層(24)上提供平坦化電荷阻擋層(26)的平坦化步驟(104)。
10.根據權利要求1所述的方法,還包括:
通過局部沉積所述第二無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料來提供所述引晶層(3、13、23)的結構的提供步驟(101)。
11.根據權利要求10所述的方法,還包括:
通過噴墨、縫型模和/或絲網印刷來提供所述引晶層(3、13、23)的結構的提供步驟(101)。
12.根據權利要求10所述的方法,還包括:
在所述提供步驟(101)之前的、使要在其上沉積所述引晶層的襯底的表面粗糙化的粗糙化步驟(100)。
13.一種用于探測電離輻射的輻射探測器,包括探測器層(4、14、24),其中,所述輻射探測器借助于根據權利要求1所述的方法的步驟來制造,其中,所述輻射探測器包括所述引晶層(3、13、23)和所述探測器層(4、14、24),所述引晶層包括與所述第一無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料不同的所述第二無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料,并且所述探測器層是通過從所述引晶層(3、13、23)上的溶液生長所述第一無機-有機鹵化物鈣鈦礦材料而形成的。
14.根據權利要求13所述的輻射探測器,包括:
-按如下順序的襯底(1、11、21)、結構化的多個底部電極(2、12、22)、探測器層(4、14、24)和頂部電極(5、15、25),其中,在所述底部電極(2、12、22)中的每個上提供所述引晶層(3、13、23)的一部分,或者
-按如下順序的襯底(1、11、21)、結構化的多個電極(2、12、22)和所述探測器層(4、14、24),其中,在所述電極(2、12、22)中的每個上提供所述引晶層(3、13、23)的一部分,并且所述電極(2、12、22)包括陽極和陰極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





