[發明專利]混合擴散標準庫單元以及相關的系統和方法

有效

• 申請號: 201680053790.7
• 申請日: 2016-09-02
• 公開（公告）號: CN108140642B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: S·薩哈;R·S·希瑞馬斯;R·V·古塔爾
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G06F30/39;H01L23/525;H01L23/528;H01L27/118
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種標準庫單元電路，包括：

至少一個晶體管；

多個擴散區域，其中所述多個擴散區域中的至少一個擴散區域對應于所述至少一個晶體管；

一個或多個中斷區域，將所述多個擴散區域中的至少兩個擴散區域分離；

所述至少一個晶體管包括布置在所述多個擴散區域之中的第一擴散區域與所述一個或多個中斷區域之間的至少一個第一浮置柵極，所述至少一個第一浮置柵極不被打結；

至少一個第二浮置柵極，布置在所述多個擴散區域之中的第二擴散區域與所述一個或多個中斷區域之間；

第一固定的中段制程（MEOL）互連，布置在所述一個或多個中斷區域的第一中斷區域中，所述第一固定的MEOL互連不被連接到所述至少一個第一浮置柵極和所述至少一個第二浮置柵極；以及

一個或多個第二固定的MEOL互連，被配置成將所述至少一個晶體管連接到第一金屬層，其中所述一個或多個第二固定的MEOL互連中的一個或多個包括一個或多個打結層互連，所述一個或多個打結層互連中的每一個被配置成將所述至少一個晶體管的所述至少一個第一浮置柵極打結，以便將所述至少一個晶體管去激活。

2.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，其中被布置在所述第一中斷區域中的所述第一固定的MEOL互連包括固定的第二層MEOL互連，所述固定的第二層MEOL互連被配置成連接被布置在所述多個擴散區域中的至少兩個擴散區域上方的多個第一金屬層段。

3.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，其中所述一個或多個第二固定的MEOL互連中的一個或多個包括一個或多個第一層MEOL互連，所述一個或多個第一層MEOL互連中的每一個被配置成將對應的晶體管連接到對應的第二層MEOL互連。

4.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，還包括一個或多個固定的零級過孔，所述一個或多個固定的零級過孔中的每一個被配置成將所述至少一個晶體管的柵極連接到所述第一金屬層。

5.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，其中所述一個或多個中斷區域包括所述第一中斷區域，所述第一中斷區域被配置成：

將所述第一擴散區域和所述第二擴散區域分離，其中所述第一擴散區域和所述第二擴散區域均包括p型金屬氧化物半導體（PMOS）區域；以及

將第三擴散區域和第四擴散區域分離，其中所述第三擴散區域和所述第四擴散區域均包括n型金屬氧化物半導體（NMOS）區域。

6.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，其中所述一個或多個中斷區域包括：

所述第一中斷區域，其中所述第一中斷區域：

將所述第一擴散區域和所述第二擴散區域分離；并且

將第三擴散區域和第四擴散區域分離；以及

第二中斷區域，其中所述第二中斷區域：

將所述第一擴散區域和第五擴散區域分離；并且

將所述第三擴散區域和第六擴散區域分離。

7.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，其中所述第一中斷區域中的所述第一固定的MEOL互連包括固定的第二層MEOL互連，所述固定的第二層MEOL互連被配置成連接被布置在所述多個擴散區域中的所述至少兩個擴散區域上方的多個第一金屬層段。

8.根據權利要求6所述的標準庫單元電路，還包括在所述第二中斷區域中的固定的MEOL互連。

9.根據權利要求8所述的標準庫單元電路，其中：

在所述第一中斷區域中的所述固定的MEOL互連包括被配置成連接多個第一金屬層段的固定的第二層MEOL互連；以及

在所述第二中斷區域中的所述固定的MEOL互連包括被配置成連接所述多個第一金屬層段的固定的第二層MEOL互連。

10.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，所述標準庫單元被配置成被編程以用作反相器。

11.根據權利要求1所述的標準庫單元電路，所述標準庫單元被配置成被編程以用作緩沖器。