[發明專利]具有氯正摻雜包層的低彎曲損耗單模光纖有效
| 申請號： | 201680053697.6 | 申請日： | 2016-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN108055866B | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | D·C·布克班德;李明軍;P·坦登 | 申請（專利權）人： | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02;G02B6/036;G02B6/028 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;項丹 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 摻雜 包層 彎曲 損耗 單模 光纖 | ||
1.一種光纖，其包括：
(i)具有外半徑r1和折射率Δ1的中心纖芯區域，
(ii)圍繞所述中心纖芯區域的包層，所述包層包括：
(a)第一包層區域，其具有外半徑25微米r216微米和相對折射率Δ2，其中，r1/r2之比大于0.24，和
(b)圍繞所述第一包層區域的第二包層區域，其具有相對折射率Δ3和外半徑r3，其中，所述第二包層區域包含至少1.25重量％氯(Cl)，以及其中，Δ1Δ3Δ2，以及其中，Δ3與Δ2之間的差異大于0.12％，和Δ30.12％；
以及，所述光纖展現出1310nm處大于9微米的模場直徑MFD；和1550nm處，對于15mm直徑心軸小于0.5dB/圈的彎曲損耗。
2.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，Δ3與Δ2之差大于0.13％。
3.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，Δ3與Δ2之差為大于0.12％至0.25％。
4.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖展現出小于或等于1260nm的22m光纜截止。
5.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖的中心纖芯區域展現出小于10的α。
6.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖還展現出1550nm處小于或等于0.07dB/km的絲網覆蓋鼓微彎曲損耗。
7.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述第一包層區域包含小于0.02重量％的氟。
8.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述第一包層區域基本不含氟和氧化鍺。
9.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，對于從r2延伸到至少30微米半徑的長度，Δ3Δ2。
10.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述第一包層區域的體積是|V2|30％Δ微米2。
11.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述光纖在1550nm處展現出小于或等于0.186dB/km的衰減。
12.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，所述中心纖芯區域包括大于或等于0.70％的最大折射率(Δ1)。
13.如權利要求1-12中任一項所述的光纖，其特征在于，所述光纖展現出：
1310nm處的MFD9微米；
光纜截止波長1260nm；
零色散波長1324nm；
10mm直徑的彎曲損耗1.5dB/圈；
15mm直徑的彎曲損耗0.5dB/圈；
其中，所述彎曲損耗是宏彎曲損耗，并且是在1550nm波長進行測量。
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