[發明專利]氫傳感器有效
| 申請號： | 201680053542.2 | 申請日： | 2016-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN108027333B | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發明（設計）人： | 植田敏嗣;大井川寬 | 申請（專利權）人： | KOA株式會社 |
| 主分類號： | G01N25/22 | 分類號： | G01N25/22 |
| 代理公司： | 北京瑞盟知識產權代理有限公司 11300 | 代理人： | 劉昕 |
| 地址： | 日本國長野*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳感器 | ||
1.一種氫傳感器，其特征在于，
晶體板上至少形成有第一晶體振子和第二晶體振子，
所述第一晶體振子在兩面形成有由鉑黑的鉑涂膜形成的氫反應催化劑層，所述第二晶體振子上形成有氫非反應層，
所述鉑涂膜的平均膜厚為70nm以上150nm以下，
通過所述氫反應催化劑層而使氫被氧化，所述第一晶體振子的固有頻率成為因氧化熱而上升了的溫度下的所述第一晶體振子的固有頻率，并且以所述第二晶體振子的固有頻率作為基準，根據所述上升了的溫度下的所述第一晶體振子的固有頻率與所述第二晶體振子的固有頻率之差來測量氫濃度。
2.一種氫傳感器，其特征在于，
晶體板上至少形成有第一晶體振子和第二晶體振子，
所述第一晶體振子在兩面形成有由表面具有多個突起的鉑涂膜形成的氫反應催化劑層，所述突起的表面呈現出顆粒狀，或者，截面呈現出樹枝狀、針狀、或柱狀，
所述第二晶體振子上形成有氫非反應層，
所述鉑涂膜的平均膜厚為70nm以上150nm以下，
通過所述氫反應催化劑層而使氫被氧化，所述第一晶體振子的固有頻率成為因氧化熱而上升了的溫度下的所述第一晶體振子的固有頻率，并且以所述第二晶體振子的固有頻率作為基準，根據所述上升了的溫度下的所述第一晶體振子的固有頻率與所述第二晶體振子的固有頻率之差來測量氫濃度。
3.如權利要求1或2所述的氫傳感器，其特征在于，
所述氫反應催化劑層是通過鍍所述鉑涂膜而形成的。
4.如權利要求1或2所述的氫傳感器，其特征在于，
所述氫反應催化劑層是通過涂覆鉑黑粉末而形成的。
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