[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680053528.2
• 申請日: 2016-09-08
• 公開（公告）號: CN108028031B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石崎守
• 申請（專利權(quán)）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36;G09F9/30;G02F1/1345;G02F1/1368;G09F9/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 戚宏梅

本發(fā)明提供能夠使源極布線及柵極布線的一方的信號數(shù)設(shè)為少于一半的薄膜晶體管陣列。薄膜晶體管陣列在絕緣基板上配置有多個柵極布線、多個源極布線以及作為像素以矩陣狀配置有多個的晶體管，該晶體管形成在該柵極布線及源極布線的各交點附近，柵電極與所述柵極布線連接，源電極與所述源極布線連接，漏電極與像素電極連接，其中，多個源極布線分別與配置在規(guī)定列中的所述像素連接，多個柵極布線的至少一部分分別具有與由規(guī)定行的連續(xù)的恒定數(shù)量的所述像素構(gòu)成的像素群、與配置有與所述規(guī)定行相鄰的行的所述像素群的列相鄰地連續(xù)的列的像素群連接的部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及薄膜晶體管陣列及其制造方法。

背景技術(shù)

以將半導(dǎo)體本身作為基板的晶體管或集成電路技術(shù)為基礎(chǔ)，在玻璃基板上制造非晶硅(a－Si)或多晶硅(poly－Si)的薄膜晶體管(Thin Film Transistor：TFT)，應(yīng)用于液晶顯示器等中。TFT發(fā)揮開關(guān)的作用，在通過向柵極布線提供的選擇電壓而使TFT導(dǎo)通了時，將向源極布線提供的信號電壓寫入與漏電極連接的像素電極。所寫入的電壓被保持于由像素電極/柵極絕緣膜/電容器電極構(gòu)成的蓄積電容器。(在TFT陣列的情況下，源極和漏極的作用根據(jù)寫入的電壓的極性而變化，因此，動作中名稱不被決定。于是，方便起見，而將一方稱作源極，將另一方稱作漏極，這樣來統(tǒng)一稱呼。本發(fā)明中，將與布線連接的那方稱作源極，將與像素電極連接的那方稱作漏極)。其中，在此，電容器電極不是必須的，也能夠?qū)@示介質(zhì)(在此為液晶)的電容作為蓄積電容器而使用。

近年來，有機半導(dǎo)體及氧化物半導(dǎo)體登場，示出了能夠在200℃以下的低溫制成TFT的特性，對使用了塑料基板的撓性顯示器的期待高漲。除了撓性這樣的優(yōu)點之外，還可以期待可實現(xiàn)輕型、不易損壞、薄型化的優(yōu)點。此外，通過印刷來形成TFT，由此能夠期待以低價實現(xiàn)大面積的顯示器。

然而，在顯示器的縱橫的像素數(shù)較大地不同的情況下，源極驅(qū)動器或者柵極驅(qū)動器的一方被大量地需要，另一方僅被使用于少數(shù)的輸出，存在導(dǎo)致成本增加的問題。一般而言，將縱布線和橫布線之中較多的那方設(shè)為源極布線，因此，源極驅(qū)動器被大量地需要，柵極驅(qū)動器僅被使用于少數(shù)的輸出。例如在像素數(shù)為1200×100的情況下，若設(shè)為想要使用輸出數(shù)為400的源極驅(qū)動器和輸出數(shù)為300的柵極驅(qū)動器，則需要3個源極驅(qū)動器、1個柵極驅(qū)動器。

作為解決這樣的問題的方法，對2個源極布線連接共用的源極信號，對連接有共用的源極信號的晶體管連接不同的柵極布線，由此，能夠使需要的源極信號的數(shù)量成為一半，使需要的柵極信號的數(shù)量成為2倍(專利文獻1)。但是，在專利文獻1中，柵極布線間距成為像素間距的一半，需要在1像素內(nèi)穿過2根柵極布線。

作為消除上述問題的方法，有從顯示部的對置的兩邊連接?xùn)艠O布線的方法(圖8)。但是，圖8中，示出了柵極布線以及源極布線，省略了存在于交點處的晶體管以及像素電極的圖示。將柵極布線，在像素部的左半部從左開始進行布線，在右半部從右開始進行布線，因此，無需在1像素中穿過2根柵極布線，只要在1像素中穿過1根柵極布線即可。

但是，這些方法中，僅僅是使源極信號數(shù)成為一半而已，無法進一步減少。例如在像素數(shù)為1200×100的情況下，若想要使用輸出數(shù)為400的源極驅(qū)動器和輸出數(shù)為300的柵極驅(qū)動器，則需要有2個源極驅(qū)動器、1個柵極驅(qū)動器。

這樣，在縱橫的像素數(shù)較大地不同的情況下，很難高效地組合使用源極驅(qū)動器以及柵極驅(qū)動器。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1:特開平4－360127公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明鑒于該現(xiàn)有技術(shù)的狀況而做出，課題在于提供一種將源極布線以及柵極布線的一方的需要信號數(shù)設(shè)為比一半小的薄膜晶體管陣列。此外，課題在于提供一種適于該薄膜晶體管陣列的制造方法。