[發明專利]電子器件及電子器件的密封方法

有效

• 申請號: 201680053520.6
• 申請日: 2016-08-25
• 公開（公告）號: CN108029164B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 奧山真人;小渕禮子
• 申請（專利權）人: 柯尼卡美能達株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張濤

1.一種電子器件，其在基材上具有功能性元件及密封該功能性元件的密封層，其中，

所述密封層是含有第12～14族非過渡金屬(M1)的氧化物的第1阻氣層和與該第1阻氣層相接而配置的含有過渡金屬(M2)的氧化物的第2阻氣層的疊層體，并且，在該疊層體的厚度方向的一部分存在含有所述非過渡金屬(M1)及所述過渡金屬(M2)的復合氧化物的區域；或者所述密封層是含有所述非過渡金屬(M1)及所述過渡金屬(M2)的復合氧化物的阻氣層；或者所述密封層具有含有該復合氧化物的區域，

將非過渡金屬設為M1，將過渡金屬設為M2，將氧設為O，及將氮設為N時，含有所述復合氧化物的阻氣層或區域存在含有以(M1)(M2)_xO_yN_z表示的復合氧化物的區域，

所述以(M1)(M2)_xO_yN_z表示的復合氧化物的組成滿足下述關系式(1)，

關系式(1) (2y+3z)/(a+bx)＜1.0

其中，M1：表示非過渡金屬，M2：表示過渡金屬，O：表示氧，N：表示氮，x、y、z：表示化學計量系數，且0.02≤x≤49、0＜y、0≤z，a：表示M1的最大價數，b：表示M2的最大價數。

2.如權利要求1所述的電子器件，其中，

所述含有非過渡金屬(M1)的氧化物的層含有聚硅氮烷及聚硅氮烷的改性體。

3.如權利要求1或2所述的電子器件，其中，

所述過渡金屬(M2)從鈮(Nb)、鉭(Ta)、及釩(V)中選擇。

4.如權利要求1或2所述的電子器件，其中，

在所述功能性元件上疊層有至少1層的有機聚合物層。

5.如權利要求1或2所述的電子器件，其中，

所述功能性元件具有一對電極和位于該電極之間且含有至少1層發光層的有機功能層。

6.一種電子器件的密封方法，其是在基材上形成功能性元件及形成對該功能性元件進行密封的密封層的電子器件的密封方法，

所述方法包括：

通過氣相成膜法或涂布法形成：至少一層含有第12～14族非過渡金屬(M1)的氧化物的第1阻氣層以及與該第1阻氣層相接而配置的含有過渡金屬(M2)的氧化物的第2阻氣層的疊層體，并且，在該疊層體的厚度方向的一部分存在含有所述非過渡金屬(M1)及所述過渡金屬(M2)的復合氧化物的區域；或者含有所述非過渡金屬(M1)及所述過渡金屬(M2)的復合氧化物的阻氣層；或者含有該復合氧化物的區域作為該密封層，

將非過渡金屬設為M1，將過渡金屬設為M2，將氧設為O，及將氮設為N時，含有所述復合氧化物的阻氣層或區域存在含有以(M1)(M2)_xO_yN_z表示的復合氧化物的區域，

所述以(M1)(M2)_xO_yN_z表示的復合氧化物的組成滿足下述關系式(1)，

關系式(1) (2y+3z)/(a+bx)＜1.0

其中，M1：表示非過渡金屬，M2：表示過渡金屬，O：表示氧，N：表示氮，x、y、z：表示化學計量系數，且0.02≤x≤49、0＜y、0≤z，a：表示M1的最大價數，b：表示M2的最大價數。

7.如權利要求6所述的電子器件的密封方法，其中，

在所述功能性元件側形成所述含有非過渡金屬(M1)的氧化物的第1阻氣層作為所述密封層。

8.如權利要求6或7所述的電子器件的密封方法，其中，

在所述含有非過渡金屬(M1)的氧化物的第1阻氣層上，以氣相成膜法形成所述含有過渡金屬(M2)的氧化物的第2阻氣層。

9.如權利要求6或7所述的電子器件的密封方法，其中，

所述含有非過渡金屬(M1)的氧化物的第1阻氣層含有聚硅氮烷及聚硅氮烷的改性體，且該聚硅氮烷的改性體通過涂布含有聚硅氮烷的涂布液并照射真空紫外光而形成。