[發明專利]光電轉換元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201680053329.1
• 申請日: 2016-08-18
• 公開（公告）號: CN108028291B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 森健史;松本雄太;錢谷嘉高
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 汪飛亞;習冬梅

光電轉換元件(1)具有設在第一非晶質半導體層(13)的緣部與第二非晶質半導體層(15)的緣部之間的斥液層(16)。斥液層(16)并未設在除第一非晶質半導體層(13)的緣部與第二非晶質半導體層(15)的緣部之間以外的第一非晶質半導體層(13)與第二非晶質半導體層(15)之間。因此，可提供半導體層(13)被高精度地圖案化的光電轉換元件(1)。

技術領域

本申請案主張2015年9月16日申請的特愿2015-182713號的優先權的利益，且以參照的方式將其全部內容引用在本文中。

本發明的一個方式涉及一種光電轉換元件及其制造方法。

背景技術

關于將太陽光等光能轉換為電能的光電轉換元件，近年來，從地球環境問題的觀點出發，很期待其作為新能源。已知有為了提升光能轉換為電能的效率，具有在光入射面相反側的半導體基板的背面形成有電極、p型半導體層及n型半導體層的異質結背接觸結構的光電轉換元件(例如參照專利文獻1)。專利文獻1中記載有一種光電轉換元件的制造方法，其具有使用蝕刻膏將形成在基板背面的p型半導體層與n型半導體層圖案化的步驟。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2013-239476號公報

發明內容

本發明所要解決的技術問題

并且，例如，若對p型半導體層上施加蝕刻膏，則蝕刻膏會在p型半導體層上潤濕擴散。因此，難以高精度地使p型半導體層圖案化。

本發明的一個方式是鑒于所述問題而完成的，其目的在于提供使半導體層高精度地圖案化的光電轉換元件及其制造方法。

解決問題的手段

本發明的第一方式的光電轉換元件具有：半導體基板，其具有第一表面及第一表面相反側的第二表面；第一非晶質半導體層，其設在第二表面上，且具有第一導電型；及第二非晶質半導體層，其設在第二表面上，且具有不同于第一導電型的第二導電型。第二非晶質半導體層的緣部位于第一非晶質半導體層的緣部上。本發明的第一方式的光電轉換元件還具有設在第一非晶質半導體層的緣部與第二非晶質半導體層的緣部之間的斥液層。斥液層并未設在除第一非晶質半導體層的緣部與第二非晶質半導體層的緣部之間以外的第一非晶質半導體層與第二非晶質半導體層之間。本發明的第一方式的光電轉換元件還具有：第一電極，其設在第二表面上，且與第一非晶質半導體層電連接；及第二電極，其設在第二表面上，且與第二非晶質半導體層電連接。

本發明的第二方式的光電轉換元件具有：半導體基板，其具有第一表面及第一表面相反側的第二表面；p型第一非晶質半導體層，其設在第二表面上；及n型第二非晶質半導體層，其設在第二表面上。第二非晶質半導體層的緣部位于第一非晶質半導體層的緣部上。本發明的第二方式的光電轉換元件還具有設在第一非晶質半導體層的緣部與第二非晶質半導體層的緣部之間的n型半導體層。n型半導體層并未設在除第一非晶質半導體層的緣部與第二非晶質半導體層的緣部之間以外的第一非晶質半導體層與第二非晶質半導體層之間。本發明的第二方式的光電轉換元件還具有：第一電極，其設在第二表面上，且與第一非晶質半導體層電連接；及第二電極，其設在第二表面上，且與第二非晶質半導體層電連接。