[發(fā)明專利]用于凸塊下金屬結構的套環(huán)及相關聯(lián)的系統(tǒng)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680053250.9
• 申請日: 2016-08-03
• 公開（公告）號: CN108028229B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設計）人: G·馬里奧蒂尼;S·瓦德哈維卡;W·黃;A·查杜魯;M·博斯勒
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體裸片，其包括：

半導體材料，其具有固態(tài)組件；

互連件，其至少部分延伸穿過所述半導體材料；

凸塊下金屬UBM結構，其電耦合到所述互連件，其中所述UBM結構具有頂面、底面及在所述頂面與所述底面之間延伸的一側壁，且其中所述UBM結構包括第一導電材料和安置于所述第一導電材料上方的第二導電材料；

套環(huán)，其包圍所述UBM結構的所述側壁的一部分，使得所述套環(huán)接觸所述第一導電材料的至少一部分和所述第二導電材料的至少一部分，其中所述套環(huán)僅沿所述UBM結構的所述側壁的高度的一部分延伸；及

焊接材料，其安置于所述UBM結構的所述頂面上方，

其中所述套環(huán)包括所述焊接材料不易于在液相中濕潤其的抗?jié)癫牧稀?/p>

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)包括氧化物、氮化物或聚酰亞胺中的至少一者。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)具有到之間的厚度。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裸片，其中所述UBM結構是支柱，且其中所述套環(huán)僅覆蓋所述支柱的所述側壁的一部分。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)未覆蓋所述UBM結構的所述頂面。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)沿所述UBM結構的所述側壁的所述高度的至少80％延伸。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)的頂面與所述UBM結構的所述頂面共面。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體裸片，其中所述UBM結構具有約1微米到約100微米之間的高度。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體裸片，其中所述第一導電材料包括銅，所述第二導電材料包括鎳，且所述套環(huán)包括氧化物、氮化物或聚酰亞胺中的至少一者。

10.一種半導體裸片，其包括：

半導體材料，其具有固態(tài)組件；

互連件，其至少部分延伸穿過所述半導體材料；

凸塊下金屬UBM結構，其電耦合到所述互連件，其中所述UBM結構具有頂面、底面及在所述頂面與所述底面之間延伸的側壁，且其中所述UBM結構包括第一導電材料和安置于所述第一導電材料上方的第二導電材料；

套環(huán)，其包圍所述UBM結構的所述側壁的一部分，其中所述套環(huán)接觸所述第一導電材料的至少一部分和所述第二導電材料的至少一部分，其中所述套環(huán)僅沿所述UBM結構的所述側壁的高度的一部分延伸且未覆蓋所述UBM結構的所述頂面；及

焊接材料，其安置于所述UBM結構的所述頂面上方。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)包括所述焊接材料不易于在液相中濕潤其的抗?jié)癫牧稀?/p>

12.根據(jù)權利要求10所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)包括氧化物、氮化物或聚酰亞胺中的至少一者。

13.根據(jù)權利要求10所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)沿所述UBM結構的所述側壁的所述高度的至少80％延伸。

14.根據(jù)權利要求10所述的半導體裸片，其中所述套環(huán)的頂面大體上與所述UBM結構的所述頂面共面。