[發明專利]波長變換部件和發光設備有效
| 申請號: | 201680053223.1 | 申請日: | 2016-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN108026442B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 古山忠仁;藤田俊輔 | 申請(專利權)人: | 日本電氣硝子株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;C09K11/00;C04B37/04;G03B21/14;C03C4/12;C03C8/14 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波長 變換 部件 發光 設備 | ||
1.一種波長變換部件,其特征在于:
其為基板與熒光體層熔接而成的波長變換部件,所述熒光體層通過在玻璃基質中分散無機熒光體粉末而成,
所述基板為氧化物陶瓷,
所述玻璃基質為SiO2-B2O3-RO系玻璃、SiO2-B2O3-R’2O系玻璃或SiO2-B2O3-RO-R’2O系玻璃,其中,R為Mg、Ca、Sr或Ba,R’為Li、Na或K,
所述無機熒光體粉末選自氮化物熒光體粉末、氮氧化物熒光體粉末、氧化物熒光體粉末、硫化物熒光體粉末、硫氧化物熒光體粉末、鹵化物熒光體粉末和鋁酸鹽熒光體粉末中的1種以上,
所述熒光體層中的所述無機熒光體粉末的含量為40~80體積%,
在30℃~所述熒光體層的固接點的溫度范圍中,將所述基板的熱膨脹系數設為α1、所述熒光體層的熱膨脹系數設為α2時,滿足-10×10-7≤α1-α2≤10×10-7(/℃)的關系,
其中,固接點=Tf-(Tf-Tg)/3
Tg:玻璃化轉變點、Tf:屈服點。
2.如權利要求1所述的波長變換部件,其特征在于:
所述氧化物陶瓷為多結晶氧化鋁或單結晶藍寶石。
3.如權利要求1或2所述的波長變換部件,其特征在于:
所述熒光體層的厚度為30~300μm。
4.如權利要求1或2所述的波長變換部件,其特征在于:
其為輪形狀。
5.如權利要求3所述的波長變換部件,其特征在于:
其為輪形狀。
6.一種發光設備,其特征在于:
具備權利要求1~5中任一項所述的波長變換部件和對所述波長變換部件中的所述熒光體層照射激發光的光源。
7.如權利要求6所述的發光設備,其特征在于:
其作為投影機光源使用。
8.一種波長變換部件的制造方法,其特征在于,包括:
制作含有玻璃粉末和無機熒光體粉末的生片的工序,
將所述生片貼附于基板上,通過進行燒制形成熔接于所述基板而成的熒光體層的工序,
所述玻璃粉末為SiO2-B2O3-RO系玻璃、SiO2-B2O3-R’2O系玻璃或SiO2-B2O3-RO-R’2O系玻璃,其中,R為Mg、Ca、Sr或Ba,R’為Li、Na或K,
所述無機熒光體粉末選自氮化物熒光體粉末、氮氧化物熒光體粉末、氧化物熒光體粉末、硫化物熒光體粉末、硫氧化物熒光體粉末、鹵化物熒光體粉末和鋁酸鹽熒光體粉末中的1種以上,
所述基板為氧化物陶瓷,
所述熒光體層中的所述無機熒光體粉末的含量為40~80體積%,
在30℃~所述熒光體層的固接點的溫度范圍中,將所述基板的熱膨脹系數設為α1、所述熒光體層的熱膨脹系數設為α2時,滿足-10×10-7≤α1-α2≤10×10-7(/℃)的關系,
其中,固接點=Tf-(Tf-Tg)/3
Tg:玻璃化轉變點、Tf:屈服點。
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